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一种可变电阻存储器件，包括垂直晶体管，该垂直晶体管包括：有源柱体，有源柱体包括沟道区、形成于沟道区的一端的源极、以及形成于沟道区的另一端的轻掺杂漏极(LDD)区和漏极；第一栅电极，被形成为围绕轻掺杂漏极(LDD)区的外围，且具有第一功函数；...
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