一种芯片中添加电容的分布结构制造技术

本实用新型专利技术提出一种芯片中添加电容的分布结构，芯片上各个电路模块之间的空缺位置分布设置有若干个电容；这些电路模块根据工作频率区分定义为高速电路和低速电路，根据工作功耗区分定义为高功耗电路和低功耗电路；若干个电容根据反应速度区分定义为高速电容和低速电容，根据单位面积电容值区分定义为单位容值相对较大的电容和单位容值相对较小的电容；所述高速电容放置在紧邻高速电路的周围，单位容值相对较大的电容放置在紧邻高功耗电路的周围，其它电容放置在芯片上剩余的空缺位置。本实用新型专利技术能够提高芯片的稳定性，避免高速电路因为电源的波动导致电路工作不正常；能够提高工作电源的稳定性，减少电源的波动。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种芯片中添加电容的分布结构
[0001 ] 本技术涉及一种芯片中添加电容的分布结构。
技术介绍
如图1所示，图中含CAP字符的模块代表电容，含Circuit字符的模块代表电路。在芯片的设计和生产中，根据情况通常会在电路之间的空隙插入电容，主要是给芯片电路中的中各种不同电源作为滤波电容使用。一般情况，电容的一端接电源，另一端接地。因为电容的类型不同，它的最小尺寸会有区别。我们发现，目前芯片上添加滤波电容大多只是在电路的空隙间根据空间的大小，不加区别地随意添加电容，而没有对电容和电路的类型加以区分对待。由此存在以下缺点:芯片中的某些闻速电路或闻耗电电路对电源的稳定性要求很高，电源很小的波动都会影响这些电路的正常工作；如果在高速电路旁边加入的是速度很慢的电容，当电源收到干扰时，会由于电容不能及时反应而不能滤掉电源受到的干扰，而导致这些高速电路工作不稳定，甚至出错。高功耗电路模块旁放置的电容容值不够时，会有很大的电源波动。
技术实现思路
为了解决传统方案芯片中添加电容导致的电源波动较大、高速电路工作不稳定等问题，本技术提出一种新的芯片中添加电容的分布结构。本技术的基本方案思路是:将芯片中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片中添加电容的分布结构，芯片上各个电路模块之间的空缺位置分布设置有若干个电容；其特征在于：这些电路模块根据工作频率区分定义为高速电路和低速电路，根据工作功耗区分定义为高功耗电路和低功耗电路；若干个电容根据反应速度区分定义为高速电容和低速电容，根据单位面积电容值区分定义为单位容值相对较大的电容和单位容值相对较小的电容；所述高速电容放置在紧邻高速电路的周围，单位容值相对较大的电容放置在紧邻高功耗电路的周围，其它电容放置在芯片上剩余的空缺位置。

【技术特征摘要】
1.一种芯片中添加电容的分布结构，芯片上各个电路模块之间的空缺位置分布设置有若干个电容；其特征在于:这些电路模块根据工作频率区分定义为高速电路和低速电路，根据工作功耗区分定义为高功耗电路和低功耗电路；若干个电容根据反应速度区分定义为高速电容和低速电容，根据单位面积电容值区分定义为单位容值相对较大的电容和单位容值相对较小的电容；所述高速电容放置在紧邻高速电路的周围，单位容...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓骏，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61