薄膜晶体管阵列基板及其制作方法技术

薄膜晶体管阵列基板包括基底、薄膜晶体管单元、支撑部、绝缘平坦层、第一电极、绝缘保护层和第二电极。薄膜晶体管单元包括漏极。支撑部位于基底上并位于薄膜晶体管单元的靠近漏极的一侧。漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过电极延伸部电连接于电极主体部的电极连接部，电极连接部覆盖支撑部上表面。绝缘平坦层覆盖薄膜晶体管单元并具有第二通孔露出电极连接部。绝缘保护层设有与第二通孔连通的第一通孔。第二电极填入第一通孔和第二通孔中与电极连接部电性连接。本发明专利技术还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法。此薄膜晶体管阵列基板及其制作方法能有效避免盲孔的出现，提高漏极与第二电极电连接的良率，有利于减少点缺陷，提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，且特别是涉及一种。
技术介绍
图1A至图1E是现有的一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制作流程局部剖面结构示意图。请参阅图1A至图1E，首先，如图1A所示，在基底11上形成栅极12，在基底11上形成栅极绝缘层13并覆盖栅极12，在栅极绝缘层13上形成半导体层14并位于栅极12的正上方。在半导体层14上形成彼此间隔的源极16a和漏极16b,源极16a和漏极16b与半导体层14之间分别设有源极接触层15a和漏极接触层15b，部分半导体层14从源极接触层15a和漏极接触层15b之间和源极16a和漏极16b之间露出。第一绝缘保护层17形成于基板11上并覆盖源极16a、漏极16b、从源极16a和漏极16b之间露出的部分半导体层14以及栅极绝缘层13。其次，如图1B所示，在第一绝缘保护层17上形成平坦层18，并在平坦层18对应漏极16b位置处形成平坦层通孔18a以使部分第一绝缘保护层17露出。接着，如图1C所示，在平坦层18上形成第一电极19，并在平坦层18上形成第二绝缘保护层20覆盖第一电极19，此时第二绝缘保护层20顺应性的填入平坦层通孔18a内与第一绝缘保护层17接触并形成凹孔20a。之后，如图1D所示，移去平坦层通孔18a内的第二绝缘保护层20和与第二绝缘保护层20接触的第一绝缘保护层17，形成贯通第一绝缘保护层17、平坦层18和第二绝缘保护层20的通孔22以露出漏极16b。再来，如图1E所示，在第二绝缘保护层20上形成第二电极21，并填入通孔22与漏极16b电性连接。 在上述制程中，平坦层18的设置一方面是使得薄膜晶体管阵列基板的表面更加平坦化，从而在更加平坦化的表面进行摩擦配向制程，以使液晶初始排列更整齐；另一方面是为了减小连接薄膜晶体管结构的数据线与第一电极19之间的电容，降低数据线的负载。而且，平坦层18的厚度越大，电容就越小，从而负载也就越低。但是，在实际的制程中，平坦层18的厚度较厚会影响后续的通孔22的开孔制程。在上述制程中，在依次形成第一绝缘保护层17和平坦层18后，是先在平坦层18进行第一次开孔制程形成平坦层通孔18a，然后再形成第二绝缘保护层20填入平坦层通孔18a与第一绝缘保护层17接触，之后再进行第二次开孔制程，移除对应平坦层通孔18a的第二绝缘保护层20以及第一绝缘保护层17，从而形成通孔22。在第二次开孔制程中，如图1C所示，在第二绝缘保护层20上涂布光阻层时，光阻剂会流入在凹孔20a中，平坦层18越厚凹孔20a深度越深，在光阻剂固化后，对应平坦层通孔18a处的凹孔20a中的光阻层会比其它地方更厚，不容易被完全曝光显影移除掉，从而在形成如图1E所示通孔22的制程中，容易形成盲孔，使漏极16b不能露出来，从而无法实现第二电极21与漏极16b的电连接，进而影响对液晶面板中的像素单元的控制，形成点缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其漏极与第二电极具有良好的电连接，减少了点缺陷，有利于提升显示品质。本专利技术的另一目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其能有效避免导通孔的开孔制程中盲孔的出现，使得薄膜晶体管阵列基板的漏极与第二电极具有良好的电连接，减少了点缺陷，有利于提升显示品质。本专利技术解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。—种薄膜晶体管阵列基板，包括基底、薄膜晶体管单元、支撑部、绝缘平坦层、第一电极、绝缘保护层和第二电极。薄膜晶体管单元位于基底上，并包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部。支撑部位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面。绝缘平坦层位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出；第一电极位于该绝缘平坦层上；绝缘保护层覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔；第二电极位于该绝缘保护层上，并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。在本专利技术较佳实施例中，上述支撑部具有相对的第一侧面和第二侧面，上表面连接于第一侧面和第二侧面之间。第一侧面面向薄膜晶体管单元，漏极的电极延伸部覆盖第一侧面。在本专利技术较佳实施例中，上述绝缘平坦层包括绝缘层以及平坦层，该绝缘平坦层位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元以及该支撑部，该第二通孔贯通该绝缘平坦层的该绝缘层和该平坦层。在本专利技术较佳实施例中，上述绝缘平坦层仅包括平坦层，该平坦层通孔即为该第二通孔。在本专利技术较佳实施例中，上述支撑部的材料与平坦层的材料相同。在本专利技术较佳实施例中，上述绝缘平坦层具有远离基底的平坦面，支撑部的上表面低于平坦面。一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括以下步骤:首先在基底上形成预薄膜晶体管单元，形成的该预薄膜晶体管单元包括栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层；然后在该预薄膜晶体管单元的靠近漏极接触层的一侧形成支撑部；接下来在形成支撑部之后形成源漏极，该源漏极彼此分隔，将部分半导体层从源漏极中间露出，该漏极具有电极主体部、电极延伸部和通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部；在源漏极之后形成绝缘平坦层，该绝缘平坦层覆盖源极，漏极，从源漏极中间露出的半导体层，支撑部以及栅极绝缘层；在该绝缘平坦层上形成第一电极；在形成第一电极之后形成绝缘保护层，该绝缘保护层覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极；最后在该绝缘保护层上形成第二电极。在本专利技术较佳实施例中，上述绝缘平坦层的制作方法包括:在该基底上形成绝缘层，再在该绝缘层上形成该平坦层；该绝缘平坦层的制作方法还包括在该平坦层进行第一次开孔制程，移除该电极连接部上方的该平坦层形成平坦层通孔以露出该绝缘层，然后在该平坦层通孔对应位置处移除该绝缘保护层以形成第一通孔，并进一步移除该对应位置处的绝缘平坦层中的绝缘层以形成与该第一通孔连通的第二通孔，以使该电极连接部从该第一通孔和该第二通孔露出，以使该第二电极，填入该第一通孔和第二通孔中与该漏极的该电极连接部电性连接。在本专利技术较佳实施例中，上述绝缘保护层的制作方法中包括:在该基底上仅形成绝缘层，并对该平坦层进行第一次开孔制程，形成平坦层通孔以露出该电极连接部，然后在该平坦层通孔对应位置处移除该绝缘保护层以形成第一通孔，以使该电极连接部从该第一通孔和平坦层通孔中露出，以使该第二电极，填入该第一通孔与平坦层通孔中与该漏极的该电极连接部电性连接。在本专利技术较佳实施例中，上述形成绝缘平坦层具有远离基底的平坦面，支撑部的上表面低于平坦面。本专利技术的有益效果是，薄膜晶体管阵列基板在基底上形成支撑部，薄膜晶体管单元的漏极的电极连接部覆盖支撑部的上表面，从而缩小了漏极的电连接部与绝缘平坦层的平坦面之间的距离，在形成绝缘保护层时，对应漏极的电极连接部位置的绝缘保护层不会形成凹孔，在绝缘保护层的开孔制程中涂布光阻剂后就不会形成较厚的光阻层而影响后续的曝光显影，能有效避免盲孔的产生，使得薄膜晶体管阵列基板的漏极与第二电极具有良好的电连接，减少点缺陷，进而提升显示品质。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：基底；薄膜晶体管单元，位于该基底上，该薄膜晶体管单元包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部；支撑部，位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面；绝缘平坦层，位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出；第一电极，位于该绝缘平坦层上；绝缘保护层，覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔；以及第二电极，位于该绝缘保护层上，并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括: 基底； 薄膜晶体管单元，位于该基底上，该薄膜晶体管单元包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部； 支撑部，位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面； 绝缘平坦层，位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出； 第一电极，位于该绝缘平坦层上； 绝缘保护层，覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔；以及 第二电极，位于该绝缘保护层上，并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部具有相对的第一侧面和第二侧面，该上表面连接于该第一侧面和该第二侧面之间，该第一侧面面向该薄膜晶体管单元，该漏极的该电极延伸部覆盖该第一侧面。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层包括绝缘层以及平坦层，该绝缘平坦层位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元以及该支撑部，该第二通孔贯通该绝缘平坦层的该绝缘层和该平坦层。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层还可仅包括平坦层，该平坦层通孔即为该第二通孔。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部的材料与该平坦层的材料相同。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层具有远离该基底的平坦面，该支撑部的该上表面低于该平坦面。7.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括: 首先在基底上形成预薄膜晶体管单元，形成的该预薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李厚烨，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32