薄膜晶体管阵列基板及其制作方法技术

薄膜晶体管阵列基板包括基底、薄膜晶体管单元、支撑部、绝缘平坦层、第一电极、绝缘保护层和第二电极。薄膜晶体管单元包括漏极。支撑部位于基底上并位于薄膜晶体管单元的靠近漏极的一侧。漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过电极延伸部电连接于电极主体部的电极连接部，电极连接部覆盖支撑部上表面。绝缘平坦层覆盖薄膜晶体管单元并具有第二通孔露出电极连接部。绝缘保护层设有与第二通孔连通的第一通孔。第二电极填入第一通孔和第二通孔中与电极连接部电性连接。本发明专利技术还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法。此薄膜晶体管阵列基板及其制作方法能有效避免盲孔的出现，提高漏极与第二电极电连接的良率，有利于减少点缺陷，提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，且特别是涉及一种。
技术介绍
图1A至图1E是现有的一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制作流程局部剖面结构示意图。请参阅图1A至图1E，首先，如图1A所示，在基底11上形成栅极12，在基底11上形成栅极绝缘层13并覆盖栅极12，在栅极绝缘层13上形成半导体层14并位于栅极12的正上方。在半导体层14上形成彼此间隔的源极16a和漏极16b,源极16a和漏极16b与半导体层14之间分别设有源极接触层15a和漏极接触层15b，部分半导体层14从源极接触层15a和漏极接触层15b之间和源极16a和漏极16b之间露出。第一绝缘保护层17形成于基板11上并覆盖源极16a、漏极16b、从源极16a和漏极16b之间露出的部分半导体层14以及栅极绝缘层13。其次，如图1B所示，在第一绝缘保护层17上形成平坦层18，并在平坦层18对应漏极16b位置处形成平坦层通孔18a以使部分第一绝缘保护层17露出。接着，如图1C所示，在平坦层18上形成第一电极19，并在平坦层18上形成第二绝缘保护层20覆盖第一电极19，此时第二绝缘保护层20顺应性的填入平坦层通孔18本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：基底；薄膜晶体管单元，位于该基底上，该薄膜晶体管单元包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部；支撑部，位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面；绝缘平坦层，位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出；第一电极，位于该绝缘平坦层上；绝缘保护层，覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括: 基底； 薄膜晶体管单元，位于该基底上，该薄膜晶体管单元包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部； 支撑部，位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面； 绝缘平坦层，位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出； 第一电极，位于该绝缘平坦层上； 绝缘保护层，覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔；以及 第二电极，位于该绝缘保护层上，并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部具有相对的第一侧面和第二侧面，该上表面连接于该第一侧面和该第二侧面之间，该第一侧面面向该薄膜晶体管单元，该漏极的该电极延伸部覆盖该第一侧面。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层包括绝缘层以及平坦层，该绝缘平坦层位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元以及该支撑部，该第二通孔贯通该绝缘平坦层的该绝缘层和该平坦层。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层还可仅包括平坦层，该平坦层通孔即为该第二通孔。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部的材料与该平坦层的材料相同。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层具有远离该基底的平坦面，该支撑部的该上表面低于该平坦面。7.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括: 首先在基底上形成预薄膜晶体管单元，形成的该预薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李厚烨，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32