第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

一种第III族氮化物半导体发光元件，包括：包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触p型半导体层的p接触电极；接触n型半导体层的n接触电极；以及支承半导体层的支承衬底。p接触电极和n接触电极设置在半导体层与支承衬底之间的位置处。在p接触电极和n接触电极被正投影在支承衬底的板表面上的情况下，p接触电极和n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。

【技术实现步骤摘要】
第M I族氮化物半导体发光元件及其制造方法
本专利技术涉及第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及能够抑制在P电极与η电极之间出现漏电流的第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
作为第III族氮化物半导体发光元件的实例，存在将接触电极包埋在发光元件中的包埋式发光元件和接触电极简单地形成在通过挖槽而露出的接触层上的槽式发光元件。例如，专利文献I中公开了包埋式发光元件(参见专利文献I中的图2等)。在专利文献I中公开的发光元件中，将P接触电极(109)和η接触电极(103)包埋在发光元件中。此外，将P接触电极(109)和η接触电极(103)形成为在其间夹有薄绝缘膜(110)。这里，P接触电极(109)形成在发光面的整个区域上。专利文献I JP-A-2011-216514因此，在专利文献I中公开的发光元件中，存在P接触电极(109)和η接触电极(103)经由薄绝缘膜(110)彼此相对的位置(参见专利文献I中的图2等)。因此，在这些位置中，在P接触电极(109)与η接触电极(103)之间形成强电场。在专利文献I中公开的发光元件中，存在在薄绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种第III族氮化物半导体发光元件，包括：包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触所述p型半导体层的p接触电极；接触所述n型半导体层的n接触电极；以及支承所述半导体层的支承衬底，其中所述p接触电极和所述n接触电极设置在所述半导体层与所述支承衬底之间的位置处，以及在所述p接触电极和所述n接触电极被正投影在所述支承衬底的板表面上的情况下，所述p接触电极和所述n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。

【技术特征摘要】
2013.02.18 JP 2013-0295141.一种第III族氮化物半导体发光元件，包括: 包括发光层、P型半导体层和η型半导体层的半导体层； 接触所述P型半导体层的P接触电极； 接触所述η型半导体层的η接触电极；以及 支承所述半导体层的支承衬底， 其中所述P接触电极和所述η接触电极设置在所述半导体层与所述支承衬底之间的位置处，以及 在所述P接触电极和所述η接触电极被正投影在所述支承衬底的板表面上的情况下，所述P接触电极和所述η接触电极形成为所正投影的P接触电极和所正投影的η接触电极彼此不重叠的形状。2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光元件，还包括: 设置在所述P接触电极与所述η接触电极之间的位置处的第一钝化膜。3.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光元件，其中所述P接触电极包括梳状P布线电极部， 所述η接触电极包括梳状η布线电极部，以及 在所述P布线电极部和所述η布线电极部被正投影在所述支承衬底的所述板表面上的情况下，所正投影的P布线电极部和所正投影的η布线电极部被布置为彼此啮合。4.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光元件，还包括: 接触所述P接触电极的第一金属层， 其中在所述第一金属层和所述η接触电极被正投影在所述支承衬底的所述板表面上的情况下，所述第一金属层和所述η接触电极形成为所正投影的第一金属层和所正投影的η接触电极彼此不重叠的形状。5.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光元件，还包括: 形成在所述第一金属层上的P焊盘电极；以及 形成在所述η接触电极上的η焊盘电极， 其中当从所述半导体层看时，所述P焊盘电极和所述η焊盘电极在与设置有所述支承衬底的一侧相反的表面上露出。6.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光元件，还包括: 位于所述第一金属层与所述支承衬底之间并且包含钎料...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村俊也，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP