抗电势诱发衰减的晶体硅电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，包括依次覆盖于硅衬底上的非晶硅层、起钝化作用的富Si氮化硅层和起减反射作用的富N氮化硅层。本实用新型专利技术主要对电池的减反射层结构进行改进，在传统的单层或多层氮化硅与晶硅衬底之间采用PECVD的方法淀积一层致密的非晶硅，这层致密的非晶硅可以阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响。本实用新型专利技术仅需在现有设备上对工艺做简单改动即可实现，与现有工艺兼容，方法简单，成本低廉。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
抗电势诱发衰减的晶体硅电池
本技术涉及晶体硅太阳能电池领域，具体而言，涉及一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池。
技术介绍
电势诱发衰减(PID)现象是指太阳能晶硅组件长期工作在湿热环境及高电压下，输出功率发生衰减的现象。一般认为玻璃中的钠离子在湿热环境下析出，通过在高电压下，晶体硅电池及封装材料对组件边框形成的回路，对电池PN结造成侵蚀，是造成PID现象的主要原因。近年来PID已经成为国外买家投诉国内组件质量的重要因素之一，严重时候它可以引起一块组件功率衰减50%以上，影响整个电站的功率输出。有关PID效应的测试方法国际上还没有统一的标准，目前通常的做法是在85%相对湿度和85°C温度下对组件加1000V的负偏压，持续96小时，测试前后组件功率的变化，功率衰减小于5%时一般认为组件具有良好的抗PID能力。传统工艺的晶体硅组件都存在PID现象，主要与组件的封装材料与电池有较大关系，降低组件的PID现象主要从这两个方面考虑。本技术主要从电池方面进行研究。电池端一般都通过提高氮化硅减反膜的致密度，即提高折射率的方法来来阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响，但是这种方法需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，其特征在于：包括依次覆盖于硅衬底（1）上的非晶硅层（2）、起钝化作用的富Si氮化硅层（3）和起减反射作用的富N氮化硅层（4）。

【技术特征摘要】
1.一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，其特征在于:包括依次覆盖于硅衬底(I)上的非晶硅层(2)、起钝化作用的富Si氮化硅层(3)和起减反射作用的富N氮化硅层(4)。2.根据权利要求1所述的抗电势诱发衰减的晶体硅电池，其特征在于:所述非晶硅层(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊宇，保罗，魏青竹，连维飞，王志刚，易辉，汪燕玲，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32