一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种AZO/Si异质结太阳能电池及其制备方法。本发明专利技术的AZO/Si异质结太阳电池从上到下结构依次包括金属栅电极、窗口层、钝化层、晶硅层和金属背电极，其中以高氢掺杂的HAZO薄膜作为钝化层，有效减少了界面处的有效复合中心，从而减小漏电流，提高太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的转化效率。本发明专利技术的特点是在Si表面直接溅射沉积AZO形成异质结，通过调控溅射气氛中氢气比例，既简单有效地钝化界面缺陷，又提高载流子的迁移能力，从而提高电池的开路电压、短路电流密度以及转化效率。且制备工艺简单，钝化层与窗口层在同一设备中连续沉积完成，无需更换靶材，不增加设备工序，适合大面积工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种AZO/Si异质结太阳电池，其特征在于，从上至下依次包括：金属栅电极、窗口层、钝化层、晶硅层和金属背电极，所述的钝化层为高氢掺杂的HAZO薄膜，所述的窗口层为AZO薄膜或低氢掺杂的HAZO薄膜，所述高氢掺杂的HAZO薄膜和低氢掺杂的HAZO薄膜均为氢、铝共掺杂的氧化锌透明导电氧化物薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟杰，蒋迁，王维燕，张贤鹏，黄金华，许炜，曾俞衡，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33