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本实用新型公开了一种抗电势诱发衰减的晶体硅电池，包括依次覆盖于硅衬底上的非晶硅层、起钝化作用的富Si氮化硅层和起减反射作用的富N氮化硅层。本实用新型主要对电池的减反射层结构进行改进，在传统的单层或多层氮化硅与晶硅衬底之间采用PECVD的方法...
该专利属于中利腾晖光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中利腾晖光伏科技有限公司授权不得商用。

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