【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基发光二极管
本技术涉及光电
，特别是一种氮化镓基发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode ;LED)是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓GaN基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。现有技术中，常规发光二极管结构如图1所示，包括衬底1，由下往上依次堆叠的N型GaN层2、发光层3、P型GaN层4、透明导电层5、P电极6以及设置在N型GaN层2裸露表面上的N电极7。由于P电极6和N电极7电极材料通常为Cr/Au，Au对光有吸收作用，使得发光层3发出的部分光线未能发射出来，造成光损失，影响芯片发光效率。由于在制作N型电极过程中，需要刻蚀部分P型GaN层4、发光层3、以及部分N型GaN层2，造成发光层3的刻蚀损伤，减小发光区面积，影响发光效率；同时由于发光区面积的减小，导致LED正向电压也上升。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的不足，本技术的目的是提供一种氮化镓基发光二极管。它通过在衬底底部开孔安置N型电极，减少发光区刻蚀损伤，增加发光区面积来提升光效。为了达到上述专利技术目的，本技术的技术方案以如下方式实现:—种氮化镓基发光二极管，它包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在透明导电层上置有P型电极。其结构特点是，所述衬底底部开设孔直至N型GaN层，在所述孔内设有N型电极置于N型G...
【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在透明导电层（5）上置有P型电极（6），其特征在于：所述衬底（1）底部开设孔直至N型GaN层（2），在所述孔内设有N型电极（7）置于N型GaN层（2）下底面。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管，它包括衬底(I)以及置于衬底(I)上方依次由N型GaN层(2)、发光层(3)、P型GaN层(4)和透明导电层(5)组成的发光结构，在透明导电层(5)上置有P型电极(6 )，其特征在于:所述衬底(I)底部开设孔直至N型GaN层(2 )，在所述孔内设有N型电极(7)置于N型GaN层(2)下底面。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：董发，李志翔，吴东海，詹润滋，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，同方股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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