【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种免封装型UVLED芯片，属于半导体封装
技术介绍
现有技术中LED芯片的封装方式大多较为复杂，并且封装过程中散热不好。而采用免封装技术大多采用的是植金球方式的倒装封装，现有的LED芯片结构在采用倒装封装时存在一定的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种免封装型UVLED芯片，热阻小，散热好，可以采用免封装技术，减少共晶封装的内应力。按照本专利技术提供的技术方案，所述免封装型UVLED芯片，包括衬底，在衬底的正面依次设置N-GaN层、发光层、P-GaN层和反射层；其特征是：在所述反射层、P-GaN层和发光层中设置通孔，通孔由反射层延伸至发光层的底部，通孔与N-GaN层连通；在所述通孔中和反射层的表面设置N共晶电极，在反射层表面设置P共晶电极。所述N共晶电极与P共晶电极的上表面平齐。本专利技术所述免封装型UVLED芯片热阻小、散热好，可以采用免封装技术，减少共晶封装的内应力。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术的剖面示意图。具体实施方式下面结合具体附图对本专利技术作进一步说明。如图1、图2所示：所述免封装型UVLED芯片包括P共晶电极1、N共晶电极2、反射层3、P-GaN层4、发光层5、N-GaN层6、衬底7、通孔8等。如图1、图2所示，本专利技术所述免封装型UVLED芯片包括衬底7，衬底7可以采用蓝宝石衬底等，在衬底7的正面依次设置N-GaN层6、发光层5、P-...
【技术保护点】
一种免封装型UVLED芯片，包括衬底（7），在衬底（7）的正面依次设置N‑GaN层（6）、发光层（5）、P‑GaN层（4）和反射层（3）；其特征是：在所述反射层（3）、P‑GaN层（4）和发光层（5）中设置通孔（8），通孔（8）由反射层（3）延伸至发光层（5）的底部，通孔（8）与N‑GaN层（6）连通；在所述通孔（8）中和反射层（3）的表面设置N共晶电极（2），在反射层（3）表面设置P共晶电极（1）。
【技术特征摘要】
1.一种免封装型UVLED芯片，包括衬底（7），在衬底（7）的正面依次设置N-GaN层（6）、发光层（5）、P-GaN层（4）和反射层（3）；其特征是：在所述反射层（3）、P-GaN层（4）和发光层（5）中设置通孔（8），通孔（8）由反射层（3）延伸至发光层（5）的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧诗，郭文平，柯志杰，邓群雄，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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