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本发明涉及一种免封装型UVLED芯片，包括衬底，在衬底的正面依次设置N-GaN层、发光层、P-GaN层和反射层；其特征是：在所述反射层、P-GaN层和发光层中设置通孔，通孔由反射层延伸至发光层的底部，通孔与N-GaN层连通；在所述通孔中和反...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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