发光元件制造技术

技术编号:10071644 阅读:119 留言:0更新日期:2014-05-23 17:07
本发明专利技术公开一种发光元件,包含:一基板;一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上,一主动层在第一半导体层上,以及一第二半导体层在主动层上;以及一电极结构在第二半导体层上,其中电极结构包含一打线层,一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间,其中,传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种发光元件,包含:一基板;一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上,一主动层在第一半导体层上,以及一第二半导体层在主动层上;以及一电极结构在第二半导体层上,其中电极结构包含一打线层,一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间,其中,传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。【专利说明】发光元件
本专利技术涉及具有较佳的电极结构的发光元件用以提升发光元件的可靠度。
技术介绍
当发光效率提升且制造成本降低后,以固态照明取代传统照明的梦想预期不久即将实现。现阶段发光二极管的内部发光效率约为50%到80%之间,但是部分的光发出后被电极及发光层吸收,导致总体出光效率降低。因此,衍生出在电极下设置反射层来解决这个问题。当从发光层发出的光线行经的路径被电极挡住的时候,反射层可反射而非吸收光线。另外,电极具有一打线垫用以后续的封装打线用,打线垫通常由金所制成。由于金的价格很高,导致电极的成本增加。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一发光元件,包含:一基板;一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上,一主动层在第一半导体层上,以及一第二半导体层在主动层上;以及一电极结构在第二半导体层上,其中电极结构包含一打线层,一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间,其中,传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。【专利附图】【附图说明】图1A是显示本专利技术一水平式发光元件的示意图;图1B是显示本专利技术一垂直式发光元件的示意图;图2是显示根据本专利技术第一实施例的电极结构的示意图;图3A是显示根据本专利技术第二实施例的电极结构的示意图;图3B是显示本专利技术电极结构8的详细结构的扫描电子显微镜(SEM)图;图4是显示根据本专利技术第三实施例的电极结构。符号说明【权利要求】1.一种发光元件,包含: 基板; 半导体叠层,包含第一半导体层在该基板上,主动层在该第一半导体层上,以及第二半导体层在该主动层上;以及 电极结构,在该第二半导体层上,其中该电极结构包含打线层,传导层以及第一阻障层位于该打线层及该传导层之间, 其中,该传导层的标准氧化电位高于该打线层的标准氧化电位。2.如权利要求1的发光元件,其中该电极结构包含反射层,位于该传导层之下,用以反射该主动层所发出的光线,以及第二阻障层,位于该反射层及该传导层之间,其中该反射层包含铝(Al)或银(Ag)。3.如权利要求1的发光元件,其中该电极结构还包含一粘着层,该粘着层为该电极结构中最接近该半导体叠层,其中该粘着层包含铬(Cr)或铑(Rh)。4.如权利要求1的发光元件,其中该传导层包含银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)。5.如权利要求1的发光元件,其中该传导层的厚度与该打线层的厚度的比值范围介于0.1?10之间,且/或该传导层的导电率与该打线层的导电率的比值介于I?10之间且不包含I。6.如权利要求4的发光元件,其中对于低到中驱动电流,该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第一比值,该第一比值介于0.3?0.5之间;对于高驱动电流,该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第二比值,该第二比值介于0.5?0.8之间。7.如权利要求1的发光元件,其中该传导层的导电率与该打线层的导电率的比值介于0.1?I且不包含I。8.如权利要求7的发光元件,其中对于低到中驱动电流,该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第三比值,该第三比值介于0.4?0.7之间;对于高驱动电流,该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第四比值,该第四比值介于0.55?0.85之间。9.如权利要求1的发光元件,其中该传导层包含第一传导层,第二传导层以及隔绝层位于该第一传导层以及该第二传导层之间,且该隔绝层的材料与该第一传导层及该第二传导层的材料相异。【文档编号】H01L33/36GK103811622SQ201310534722【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月1日 优先权日:2012年11月2日【专利技术者】郭得山, 柯竣腾, 涂均祥, 邱柏顺 申请人:晶元光电股份有限公司本文档来自技高网...
发光元件

【技术保护点】
一种发光元件,包含:基板;半导体叠层,包含第一半导体层在该基板上,主动层在该第一半导体层上,以及第二半导体层在该主动层上;以及电极结构,在该第二半导体层上,其中该电极结构包含打线层,传导层以及第一阻障层位于该打线层及该传导层之间,其中,该传导层的标准氧化电位高于该打线层的标准氧化电位。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:郭得山柯竣腾涂均祥邱柏顺
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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