覆晶式LED芯片制造技术

一种覆晶式LED芯片，包括：基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中水平方向为与基板的正面平行的方向，隔离区在基板的正面上的垂直投影位于正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间，隔离区在水平方向上的中心线与覆晶式LED芯片在水平方向上的中轴线重叠，且隔离区在水平方向上的宽度不超过覆晶式LED芯片在水平方向上的宽度的三分之一。本发明专利技术实施例的覆晶式LED芯片的隔离区具有较适宜的宽度，在实现正电极和负电极的隔离的同时，不仅能够获得较高的发光效果，还能够有效避免在芯片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种覆晶式LED芯片，包括：基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中水平方向为与基板的正面平行的方向，隔离区在基板的正面上的垂直投影位于正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间，隔离区在水平方向上的中心线与覆晶式LED芯片在水平方向上的中轴线重叠，且隔离区在水平方向上的宽度不超过覆晶式LED芯片在水平方向上的宽度的三分之一。本专利技术实施例的覆晶式LED芯片的隔离区具有较适宜的宽度，在实现正电极和负电极的隔离的同时，不仅能够获得较高的发光效果，还能够有效避免在芯片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。【专利说明】覆晶式LED芯片
本专利技术涉及发光元件
，具体涉及一种覆晶式LED芯片。
技术介绍
随着LED (Light Emitting Diode,发光二极管)照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。采用覆晶(Flip Chip)方式进行封装的LED (以下称覆晶式LED)的固晶方式简略，拥有更高的信赖度，使得量产可行性大幅晋升，且兼具缩短高温烘烤的制程时间、高良率、导热效果佳、高出光量等优势，遂成为业界竭力开展的技术。通过在覆晶式LED芯片的正电极以及负电极所电性连接的基板的结构上进行金球、锡球、或共晶焊接来焊接覆晶式LED芯片，以实现覆晶式LED芯片的封装。覆晶式LED芯片的正电极和负电极之间形成有隔离区，以防止两电极短路。为了获得最大的发光效果，现有的覆晶式LED芯片的隔离区通常做的较窄，并且隔离区随着正电极和负电极大小的不同而偏左或偏右设置。但是，较窄的隔离区容易在芯片封装工艺中，因高温等原因导致两电极跨过隔离区电性导通从而造成短路。此外，由于在芯片封装工艺中用于点导电金属(例如银胶或锡膏)的点针的位置是固定的，通常以该覆晶式LED芯片正面的中轴线为轴对称分布，这将使得导电金属会出现点在同一个电极上、或同时点在两个电极上的现象，或因一个电极过小导致导电金属溢出电极表面进而出现短路的现象。这些都将影响LED的封装良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种覆晶式LED芯片，其具有合适的隔离区。为了解决上述问题，第一方面，本专利技术实施例提供了一种覆晶式LED芯片，包括:基板以及沿水平方向依次设置在所述基板的正面上的正电极、负电极、以及隔离区，其中所述水平方向为与所述基板的正面平行的方向，所述隔离区在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正电极和负电极在所述基板的正面上的垂直投影之间，所述隔离区在所述水平方向上的中心线与所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的中轴线重叠，且所述隔离区在所述水平方向上的宽度不超过所述覆晶式LED芯片在所述水平方向的宽度的三分之一。对于上述覆晶式LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述覆晶式LED芯片还包括:第一导电型半导体层，位于所述基板的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；正电极层，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及隔离层，至少位于所述正电极层的正面，且裸露出部分所述正电极层，所述正电极层裸露出的部分为所述正电极；其中，所述负电极位于所述隔离层的正面，且裸露出部分所述隔离层，所述隔离层裸露出的部分为所述隔离区，所述负电极通过贯穿所述隔离层、正电极层、第二导电型半导体层以及发光层的通孔与所述第一导电型半导体层电性接触。在一种可能的具体实现方式中，所述隔离层还位于所述覆晶式LED芯片的侧面。在一种可能的具体实现方式中，所述隔离层为SiO2或DBR或光子晶体结构或SiNx或A1N。对于上述覆晶式LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述覆晶式LED芯片还包括:保护层，位于所述负电极的正面和/或所述正电极层的至少所述正电极的正面。在一种可能的具体实现方式中，所述保护层为钛、镍、铬、金材料中的一种或几种的混合制成。以及，在一种可能的具体实现方式中，所述保护层的厚度为50人?10000人。对于上述覆晶式LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述隔离区在水平方向的宽度为0.11mm?0.5mm。对于上述覆晶式LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述正电极和所述负电极在水平方向上的宽度大于0.11mm。本专利技术实施例的覆晶式LED芯片的隔离区具有较适宜的宽度，在实现正电极和负电极的隔离的同时，不仅能够获得较高的发光效果，还能够有效避免在芯片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。此外，在本专利技术实施例的覆晶式LED芯片中，隔离区位于覆晶式LED芯片的中间，相当于正电极和负电极分布在该覆晶式LED芯片的中轴线的两侧，正电极和负电极的大小不至于相差太多，导电金属会恰好点落至两个电极上且大小适中，从而防止了出现导电金属溢出的现象，进一步提高了产品的良率。【专利附图】【附图说明】包含在说明书中并且构成说明书的一部分的说明书附图与说明书一起示出了本专利技术的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术实施例的覆晶式LED芯片的俯视图；图2为本专利技术实施例的一种结构的覆晶式LED芯片的剖视图；图3为图2所示的覆晶式LED芯片的制备方法流程图；图4 (a)_图4 (e)分别为制备图2所不的覆晶式LED芯片的各工艺过程中所形成结构的剖视图。附图标记说明:10:基板；20:n型氣化嫁层；30:发光层；40:p型氣化嫁层；41:通孔；50:正电极层；51:正电极；52:通孔；60:隔尚层；61:隔尚区；62:通孔；71:负电极层。【具体实施方式】以下将参考附图详细说明本专利技术的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。另外，为了更好的说明本专利技术，在下文的【具体实施方式】中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有这些具体细节，本专利技术同样可以实施。在另外一些实例中，对于大家熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本专利技术的主旨。图1为本专利技术实施例的一种覆晶式LED芯片的俯视图，该覆晶式LED芯片包括基板10以及沿水平方向依次设置在基板10的正面上的正电极51、负电极71、和隔离区61。其中，该水平方向为图1中虚线箭头所示的与基板10的正面平行的方向，该隔离区61在基板10的正面上的垂直投影位于正电极51和负电极71在基板10的正面上的垂直投影之间，用于隔离正电极51和负电极71，且在本专利技术实施例的覆晶式LED芯片中，该隔离区61在水平方向上的中心线与该覆晶式LED芯片在水平方向上的中轴线A在同一条线上，隔离区61在水平方向上的宽度L2不超过覆晶式LED芯片在水平方向上的宽度LI的三分之一。本专利技术实施例的覆晶式LED芯片的隔离区61具有较适宜的宽度，在实现正电极和负电极的隔离的同时，不仅能够获得较高的发光效果，还能够有效避免在芯片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。此外，在本专利技术实施例的覆晶式LED芯片中，隔离区位于覆晶式LED芯片的中间，相当于正电极和负电极分布在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶式LED芯片，其特征在于，包括：基板；以及沿水平方向依次设置在所述基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中，所述水平方向为与所述基板的正面平行的方向，所述隔离区在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正电极和负电极在所述基板的正面上的垂直投影之间，所述隔离区在所述水平方向上的中心线与所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的中轴线重叠，且所述隔离区在所述水平方向上的宽度不超过所述覆晶式LED芯片在所述水平方向上的宽度的三分之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴裕朝，吴冠伟，刘艳，
申请(专利权)人：东莞市正光光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44