本发明公开了一种LED芯片及其制造方法，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和反射层；至少一个第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层...

一种覆晶式LED芯片，包括：基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中水平方向为与基板的正面平行的方向，隔离区在基板的正面上的垂直投影位于正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间，隔离区在水平方向上的中心...

本发明公开了一种表面贴装LED，涉及发光元件技术领域。该表面贴装LED包括：支架（1）以及覆晶式LED芯片（2）；支架（1）包括：基座（11），其支承面上设置有正极性基板（111）以及负极性基板（112），两基板之间形成有绝缘区（113...

本实用新型公开了一种固晶设备。该固晶设备包括：涂覆单元，用于将锡膏涂覆在基板的导电图案上；贴片单元，用于将LED芯片覆盖在涂覆有锡膏的基板上；加热单元，用于对加热板加热，以使置于加热板上的基板受热，从而使锡膏熔化，使LED芯片的正电极和...

一种覆晶式LED芯片，包括：基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区，其中水平方向为与基板的正面平行的方向，隔离区在基板的正面上的垂直投影位于正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间，隔离区在水平方向上的中心...

本发明公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，还包括：第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；第二正电极，位...

本发明涉及发光元件技术领域，具体公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括：基板；第一导电型半导体层，位于所述基板上；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；正电极，位于所述第二导电型半导...

本实用新型公开了一种覆晶式LED支架和表面贴装LED，其中，该覆晶式LED支架包括基座和位于所述基座上方的、用于装设覆晶式LED芯片的支架本体；所述基座的支承面上设置有用于连接所述覆晶式LED芯片的正电极的正极性基板和用于连接所述覆晶式...