【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括具有应力减轻结构的半导体衬底的封装组件相关申请的交叉引用本公开是于2010年12月20日提交的第12/973，249号美国专利申请的部分继续申请并且要求对该美国专利申请的优先权，该美国专利申请要求对以下美国临时专利申请的优先权:于2010年I月18日提交的第61/295，925号美国临时专利申请；于2010年4月27日提交的第61/328，556号美国临时专利申请；于2010年5月11日提交的第61/333，542号美国临时专利申请；于2010年5月21日提交的第61/347，156号美国临时专利申请；以及于2010年6月2日提交的第61/350，852号美国临时专利申请。本公开还要求对于2011年10月10日提交的第61/545，549号美国临时专利申请的优先权。本公开与于2011年I月24日提交的第13/012，644号美国专利申请有关，该美国专利申请要求对以下美国临时专利申请的优先权:于2010年2月3日提交的第61/301，125号美国临时专利申请；于2010年3月22日提交的第61/316，282号美国临时专利申请；于2010年4月5日提交的第61/3...
【技术保护点】
一种被配置用于耦合到衬底上的装置，所述装置包括：半导体衬底，其中所述半导体衬底包括在所述半导体衬底的侧部内限定的多个沟槽；以及在所述半导体衬底的所述侧部的部分之上的互连层，其中所述半导体衬底的所述侧部的所述部分包括在所述半导体衬底的所述侧部内限定的所述多个沟槽，其中每个沟槽被配置用于分别接收用于提供在i)所述互连层与ii)所述装置将被耦合到的所述衬底之间的接口的焊球。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.10 US 61/545,549;2012.10.09 US 13/648,1141.一种被配置用于耦合到衬底上的装置，所述装置包括: 半导体衬底，其中所述半导体衬底包括在所述半导体衬底的侧部内限定的多个沟槽；以及 在所述半导体衬底的所述侧部的部分之上的互连层，其中所述半导体衬底的所述侧部的所述部分包括在所述半导体衬底的所述侧部内限定的所述多个沟槽， 其中每个沟槽被配置用于分别接收用于提供在i)所述互连层与ii)所述装置将被耦合到的所述衬底之间的接口的焊球。2.根据权利要求1所述的装置，其中: 所述侧部是第一侧； 所述互连层是第一互连层； 所述半导体衬底还包括在所述半导体衬底的第二侧上的第二互连层；以及 所述半导体衬底 包括用于耦合所述第一互连层和所述第二互连层的硅通孔。3.根据权利要求2所述的装置，还包括耦合到所述第二互连层的半导体裸片。4.根据权利要求3所述的装置，还包括耦合到所述第二互连层的多个裸片。5.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述互连层之上的钝化层，其中所述钝化层包括在其中限定的用于暴露在所述半导体衬底的所述侧部的所述部分之上的所述互连层的开口。6.根据权利要求1所述的装置，还包括耦合到所述装置的所述衬底，其中所述衬底经由多个焊球耦合到所述装置，并且其中所述多个焊球中的每个焊球位于对应沟槽内。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述衬底包括(i)印刷电路板或者(ii)封装组件之一 O8.一种方法，包括: 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底的侧部内限定多个沟槽；以及 在所述半导体衬底的所述侧部上形成互连层，其中所述互连层在所述半导体衬底的所述侧部的至少部分之上，所述部分包括所述在半导体衬底的所述侧部内限定的所述多个沟槽， 其中每个沟槽被配置用于分别接收用于提供在i)所述互连层与ii)所述半导体衬底将被耦合到的衬底之间的接口的焊球。9.根据权利要求8所述的方法，其中: 所述侧部是第一侧； 所述互连层是第一互连层...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·吴，卫健群，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：巴巴多斯;BB
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。