半导体封装件及其制法制造技术

技术编号:10201200 阅读:117 留言:0更新日期:2014-07-11 22:27
一种半导体封装件及其制法,该半导体封装件包括:基板;半导体组件,该半导体组件具有相对的作用面及非作用面,该半导体组件以其作用面结合于该基板上,且该非作用面为粗糙化表面;导热层,其直接接触结合于该非作用面上;以及散热件,其设于该导热层上。通过将该半导体组件的非作用面设为粗糙化表面,以增加其与该导热层间的结合力,因而不仅能省略覆金工艺,且能省略使用助焊剂,所以能降低于该导热层中发生空洞的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装件,尤其是指一种能简化工艺及提高产品成品率的。
技术介绍
随着半导体工艺技术的进步,芯片中的电子组件越来越多,且芯片线路密度提升,使芯片产生的热能也相对增加,造成产品可靠性问题。因此,为了迅速将热能散逸至大气中,通常在半导体封装件中配置金属散热片,且传统散热片通过散热胶结合至芯片背面,但目前所用的散热胶的散热速度无法满足需求,因而发展出导热接口材(Thermal InterfaceMaterial, TIM)工艺。 现有--Μ层为低温熔融的热传导材料(如焊锡材料)并设于芯片背面与散热片之间,而为了提升TM层与芯片背面的接着强度,必须在芯片背面上覆金(即Coating Gold OnChip Back),且需使用助焊剂(flux),以利于该--Μ层接着于该金层上。如图1A及图1B所示,现有半导体封装件I包含一半导体组件11,其作用面Ila以覆晶接合方式设置于一基板10上,且一金层110形成于该半导体组件11的非作用面Ilb上,而一散热件13通过一焊锡层12a与助焊剂(flux) 12b经回焊工艺结合于该金层110上,其中,该焊锡层12a与助焊剂12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件,其包括:基板;半导体组件,其具有相对的作用面及非作用面,该半导体组件以其作用面结合于该基板上,且该非作用面为粗糙化表面;导热层,其直接接触结合于该非作用面上;以及散热件,其设于该导热层上。

【技术特征摘要】
2013.01.04 TW 1021002011.一种半导体封装件,其包括: 基板; 半导体组件,其具有相对的作用面及非作用面,该半导体组件以其作用面结合于该基板上,且该非作用面为粗糙化表面; 导热层,其直接接触结合于该非作用面上;以及 散热件,其设于该导热层上。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体组件的作用面上具有多个电极垫,以电性连接该基板。3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导热层为低温熔融的热传导材料。4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其特征在于,该导热层为焊锡材料。5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导热层含有占该导热层重量99.99 %的铟材。6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导热层的熔点小于170°C。7.根据权利要求1所述的半 导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括支撑件,设于该基板上以支撑该散热件。8.一种半导体封装件的制法,其包括: 提供一设有半导体组件的基板,该半导体组件具有相对的作用面及非作用面,且该半导体组件以其作用面结合于该基板上,又该非作用面为粗糙化表面;以及 接触结合散热件于该非作用面上,且该散热件与该非作用面之间设有导热层。9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该基板与该半导体组件的结合工艺,其包括: 提供一由多个该半导体组件构成的半导体基材; 切割该半导体基材,以获得多个该半导体组件; 结合至少一该半导体组件至该基板上;以及 表面处理该非作用面以形成该粗糙化表面。10.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该基板与该半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员:李美津陈琬婷叶启东林畯棠赖顗喆
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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