【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及自组装嵌段共聚物领域。具体来说，本专利技术涉及特定共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚(丙烯酸酯)嵌段和聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段的嵌段共聚物。
技术介绍
已知由首尾相连的两种或更多种不同的均聚物组成的一些嵌段共聚物能自组装(self-assemble)成典型尺寸为10纳米至50纳米的周期性微结构域(micro domain)。由于采用光刻技术以纳米尺度尺寸(尤其是小于45纳米)图案化的费用高、难度大，使用这种微结构域在表面形成图案的可能性正越来越受到关注。但是，控制基材上嵌段共聚物微结构域的横向设置一直是个挑战。过去采用光刻形成的预定形貌的基材和/或对基材化学图案化来解决该问题。过去的研究证明，可引导薄层形式的自组装嵌段共聚物微结构域来遵循(follow)基材的化学图案化，产生与化学预定图案接近的周期性结构。其它研究证明通过控制形貌预定图案底部和侧壁上嵌段共聚物的表面润湿性，可引导所述薄层来遵循所述形貌预定图案。所述薄层形成与基材预设定图案相比尺寸更小的线条/间距图案，将形貌预定图案细分为更高频率的线条图案，即，具有较小间距的线条图案。...
【技术保护点】
一种共聚物组合物，其包括：具有聚（丙烯酸酯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；以及，抗氧化剂；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1‑1000千克/摩尔；其中所述共聚物组合物包括＞2重量%的抗氧化剂，以该嵌段共聚物的重量计；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1‑2。
【技术特征摘要】
2013.02.08 US 13/762,7491.一种共聚物组合物，其包括: 具有聚(丙烯酸酯)嵌段和聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段的嵌段共聚物；以及， 抗氧化剂； 其中所述嵌段共聚物的数均分子量Mn是1-1000千克/摩尔；其中所述共聚物组合物包括> 2重量％的抗氧化剂，以该嵌段共聚物的重量计；以及， 其中所述嵌段共聚物的多分散性ro是1-2。2.如权利要求1所述的共聚物组合物,其特征在于,所述共聚物组合物包含5-30重量％的抗氧化剂，以所述嵌段共聚物的重量为基准计。3.如权利要求1所述的共聚物组合物，其特征在于，所述抗氧化剂选自下组: 包含至少一种2，6-双-叔丁基苯酚部分的抗氧化剂； 包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂 4.如权利要求1所述的共聚物组合物，其特征在于，所述抗氧化剂选自下组 5.如权利要求1所述的共聚物组合物，其特征在于， 所述聚(丙烯酸酯)嵌段包括来自丙烯酸酯单体、氘代丙烯酸酯单体、丙烯酸酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸酯嵌段改性单体中至少一种的残基；所述聚(丙烯酸酯)嵌段包括> 75重量％的丙烯酸酯单体衍生单元；所述丙烯酸酯单体选自下组:((V5烷基)丙烯酸C6_14芳基酯、((V5烷基)丙烯酸Cm烷基酯；所述氘代丙烯酸酯单体选自下组:氘代(Cm烷基)丙烯酸C6_14芳基酯、氘代((V5烷基)丙烯酸Cm烷基酯；所述丙烯酸酯嵌段改性单体选自CV5烯烃和c3_7环烯烃；所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体选自氘代Ci_5烯烃和氘代c3_7环烯烃；以及， 所述聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基；所述聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段包括> 75重量％的丙烯酸甲硅烷基酯单体衍生单元；所述丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式 (R1 (R2) (R3) Si) rR4xOOCC (R5) =CR62 式中，R1、R2和R3各自独立的选自下组:(V6烷基，甲硅烷基化CV6烷基，C1^6烷氧基，甲硅烷基化CV6烷氧基，C6,芳基，C6,芳氧基，甲硅烷基化C6,芳基，甲硅烷基化C6_1(l芳氧基，C1,芳基烷基，C1,芳基烷氧基，甲硅烷基化C1,芳基烷基，甲硅烷基化C1,芳基烷氧基，C6_10烷基芳基，C6_10烷基芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳基，甲硅烷基化C6,烷基芳氧基；1选自下组:0、1、2以及3 ;R4选自下组:(^_3烷基3选自下组:0以及I ;R5选自下组:氢以及甲基；R6是氢；所述丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式 (R7 (R8) (R9) Si) tR10yOOCC (Rn) =CR122 式中，R7、R8和R9各自独立的选自下组:(V6烷基，甲硅烷基化CV6烷基，C1^6烷氧基，甲硅烷基化CV6烷氧基，C6,芳基，C6,芳氧基，甲硅烷基化C6,芳基，甲硅烷基化C6_1(l芳氧基，C1,芳基烷基，C1,芳基烷氧基，甲硅烷基化C1,芳基烷基，甲硅烷基化C1,芳基烷氧基，C6_10烷基芳基，C6_10烷基芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳基，甲硅烷基化C6,烷基芳氧基，氣代烷基，氣代甲娃烷基化Cu烷基，氣代Cu烷氧基，氣代甲娃烷基化(V6烷氧基，氘代C6,芳基，氘代C6,芳氧基，氘代甲硅烷基化c6_1(l芳基，氘代甲硅烷基化c6_1(l芳氧基，氣代C1,芳基烷基，氣代C1,芳基烷氧基，氣代甲娃烷基化C1,芳基烷基，氣代甲娃烷基化C1,芳基烷氧基，氘代C6,烷基芳基，氘代c6_1(l烷基芳氧基，氘代甲硅烷基化c6_1(l烷基芳基，氣代甲娃烷基化C6_1(l烷基芳氧基；t选自下组:O, I, 2和3 ;Rici选自下组:(^_3烷基和氣代CV3烷基；y是O或者I ;Rn选自下组:氢、氘、甲基和氘代甲基；R12选自下组:氢和氘；其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；以及，其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个氘；所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自烯烃和环烯烃；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自氘代烯烃和氘代环烯烃。6.如权利要求5所述的共聚物组合物，其特征在于，所述共聚物组合物包含5-30重量％的抗氧化剂，以所述嵌段共聚物的重量为...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·特雷福纳斯，P·赫斯塔德，顾歆宇，E·沃格尔，V·靳兹伯格，张诗玮，D·默里，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。