【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种制备多晶硅的系统，包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统，原料在合成系统反应得氯硅烷混合物，经分离后SiH2Cl2、SiCl4返回合成系统，SiHCl3纯化后进入多晶硅制备系统，多晶硅制备系统包括三氯氢硅还原系统、尾气分离系统和四氯化硅氢化系统，制备多晶硅的尾气经尾气分离后HCl、杂质排残物返回SiHCl3合成系统，H2、SiH2Cl2和SiHCl3返回三氯氢硅还原系统，SiCl4进入四氯化硅氢化系统与H2反应，反应产物返回尾气分离系统。本专利技术还公开了与该系统对应的多晶硅制备方法。本专利技术按各种物料纯度分级循环，避免高纯物料与粗品物料混合带来的反复纯化。【专利说明】—种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法
本专利技术属于多晶硅制备领域，涉及。
技术介绍
多晶硅是光伏行业和半导体行业的主要原料之一，其主要生产方法有冶金法、改良西门子法。近年来，随着我国光伏行业的飞速发展，多晶硅的生产技术也取得了较大突破，但基本围绕“改良西门子法”进行局部优化改进，对多晶硅生产的成本和质量没有质的改变，比如陈其国等人...
【技术保护点】
一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统，其特征在于：包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统，SiCl4、H2、HCl和工业硅粉在SiHCl3合成系统反应得到含有SiHCl3的氯硅烷混合物，所述氯硅烷混合物经氯硅烷分离系统分离得到粗品SiH2Cl2、SiCl4和SiHCl3，粗品SiH2Cl2和粗品SiCl4返回SiHCl3合成系统，粗品SiHCl3经纯化后进入多晶硅制备系统与H2反应制备多晶硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何天全，程政，
申请(专利权)人：重庆高策科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85
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