坩埚与坩埚硅材的装填方法技术

本发明专利技术涉及一种坩埚与坩埚硅材的装填方法。此坩埚包括底板以及涂层。底板具有一表面。涂层设置在底板的表面上。此涂层包括相对的第一面与第二面，第二面与底板的表面接触。多个第一孔，设置于涂层上，且多个第一孔沿涂层的第一面朝第二面的方向延伸凹设。所述坩埚硅材的装填方法，包括：提供坩埚，其中该坩埚包括底、以及形成于该底板的一表面上的涂层；铺设第一硅料层于该涂层上；以及铺设第二硅料层于该第一硅料层上，其中，透过该第二硅料层的重量施压于该第一硅料层上，以使该第一硅料层在该涂层中形成多个第一孔，其中所形成的该多个第一孔的孔密度为2个/cm2～100个/cm2。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。此坩埚包括底板以及涂层。底板具有一表面。涂层设置在底板的表面上。此涂层包括相对的第一面与第二面，第二面与底板的表面接触。多个第一孔，设置于涂层上，且多个第一孔沿涂层的第一面朝第二面的方向延伸凹设。所述坩埚硅材的装填方法，包括：提供坩埚，其中该坩埚包括底、以及形成于该底板的一表面上的涂层；铺设第一硅料层于该涂层上；以及铺设第二硅料层于该第一硅料层上，其中，透过该第二硅料层的重量施压于该第一硅料层上，以使该第一硅料层在该涂层中形成多个第一孔，其中所形成的该多个第一孔的孔密度为2个/cm2～100个/cm2。【专利说明】
本专利技术涉及一种长晶装置，且特别涉及一种。
技术介绍
参照图1A，其绘示一种现有装填有硅料的坩埚的剖面示意图。坩埚100主要包括由底板102与数个侧墙104所构成的主体。侧墙10位设于底板102的周缘上，而围设出一凹槽112。为了避免杂质扩散和粘埚，坩埚100还可进一步包括保护层106。此保护层106涂布在主体的凹槽112的内侧表面上。此外，在坩埚100的凹槽112内装填硅料IlOa前，可先在凹槽112的底板102上的保护层106上方铺上具平面的硅料层108，以保护坩埚100的底板102和保护层106。接着，再于坩埚100的凹槽112内装填硅料110a，作为长晶的主要原料。其中，硅料IIOa可为尺寸、形状不一的硅材原料，其形状大致为矩形的硅原料。然而，如图1B所示，作为长晶的主要原料的硅料IlOb亦可为尺寸、形状不一，且具任意形状。然而，在坩埚100的凹槽112内进行长晶工艺时，由于坩埚100的局部表面可能存在许多大小不均匀的点或凹孔，且这些点或凹孔可能分布不规则，如此会造成不规则成核，而导致晶粒尺寸差异大。在一个例子中，所形成的硅晶碇底部的晶粒粒径有大到5cm以上的，但也有小到的。如上述，晶粒尺寸的差异过大会使得所成长的晶锭中具有更多的晶格缺陷，使得所形成的晶锭品质欠佳。
技术实现思路
`本专利技术的一个方面提供一种，其在坩埚内的涂层和/或坩埚内部表面上形成均匀的细微孔。由于这些均匀的细微孔易在长晶固化时成为成核点，因此可缩减晶粒之间的尺寸差异，且最佳化成核数量与成核位置，进而得到均匀且优质的娃晶粒。本专利技术的另一方面提供一种坩埚硅材的装填方法，其可大大地提升所成长的晶锭及其娃晶片的品质，因此可有效提闻半导体晶片的电性效率。根据本专利技术的上述目的，提出一种坩埚。此坩埚包括底板以及涂层。底板具有一表面。涂层设置在底板的表面上。其中，涂层包括相对的第一面与第二面，第二面与底板的表面接触。多个第一孔，设置于该涂层上，且该多个第一孔沿涂层的第一面朝第二面的方向延伸凹设。依据本专利技术的一个实施例，上述第一孔的孔密度为2个/cm2~100个/cm2。依据本专利技术的另一个实施例，上述第一孔贯穿涂层的第二面或并未贯穿涂层的第二面。依据本专利技术的又一个实施例，上述底板具有多个第二孔凹设于底板表面中，这些第二孔分别对应第一孔。根据本专利技术的上述目的，另提出一种坩埚。此坩埚包括底板。此底板具有一表面，其中底板的表面凹设有多个孔，且这些孔的孔密度为2个/cm2~100个/cm2。根据本专利技术的上述目的，又提出一种坩埚硅材的装填方法，包括下列步骤。提供坩埚，其中此坩埚包括底板以及形成于底板的一表面上的涂层。铺设第一硅料层于涂层上。铺设第二硅料层于第一硅料层上。其中，透过第二硅料层的重量施压于第一硅料层上，以使第一硅料层在涂层中形成多个第一孔，上述第一孔的孔密度为2个/cm2~100个/cm2。依据本专利技术的一个实施例，上述第二娃料层的重量施压于第一娃料层上时，第一娃料层在底板的表面中形成多个第二孔，这些第二孔分别对应第一孔。根据本专利技术的上述目的，还提出一种坩埚硅材的装填方法，包括下列步骤。提供坩埚，其中此坩埚包括底板以及形成于底板的一表面上的涂层。铺设第一硅料层于涂层上。以人工方式对第一娃料层施压，以使第一娃料层在涂层中形成多个第一孔。铺设第二娃料层于第一娃料层上。依据本专利技术的一个实施例，上述第一孔的孔密度为2个/cm2~100个/cm2。依据本专利技术的另一个实施例，上述人工方式包括以手掌和/或以工具来实施。依据本专利技术的又一个实施例，上述形成第一孔于涂层中时，还包括在底板的表面中形成多个第二孔，这些第二孔分别对应第一孔。【专利附图】【附图说明】为了使本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，提供附图，在附图中:图1A绘示一种现有装填有硅料的坩埚的剖面示意图。图1B绘示另一种现有装填有硅料的坩埚的剖面示意图。图2绘示依照本专利技术一个实施方式的一种坩埚的剖面示意图。图3绘示依照本专利技术另一个实施方式的一种坩埚的剖面示意图。图4A绘示依照本专利技术一个实施方式的一种硅材装填于坩埚后的示意图。图4B绘示依照本专利技术另一实施方式的一种硅材装填于坩埚后的示意图。图5绘示依照本专利技术又一个实施方式的一种硅材装填于坩埚后的示意图。【具体实施方式】参照图2，其绘示依照本专利技术一个实施方式的一种坩埚的剖面示意图，通常坩埚是采用石英材质。在此实施方式中，坩埚200a主要包括底板202a与涂层206。坩埚200a亦包括有数个侧墙204。底板202a具有表面214，侧墙20位设在底板202a的表面214的周缘上，并与底板202a共同形成凹槽212。为避免硅材料在长晶时有杂质扩散与粘埚，涂层206可涂布在底板202a的表面214上；或者，如图1A与图1B所示，涂层206可涂布在坩埚200a的凹槽212的整个内侧面上。涂层206包括相对的第一面216与第二面218，其中第二面218与底板2 02a的表面214接触。在一个实施例中，涂层206的材料可例如包括氮化硅。在一个实施例中，坩埚200a包括多个第一孔208a、208b和/或208c。这些第一孔208a、208b与208c沿该涂层206的第一面216朝第二面218的方向线上而延伸凹设。这些第一孔208a、208b与208c可均匀地凹设于涂层206中。这些第一孔208a、208b与208c在涂层206中的孔密度可例如为2个/cm2~100个/cm2。在一个示范例子中，第一孔208a、208b与208c的孔密度可为20个/cm2~50个/cm2。此外，每个第一孔208a、208b与208c的宽度可例如为0.1mm~10mm。每个第一孔208a、208b与208c的形态可包括点状、线状、棋盘交错状或任意形状与任意排列。再次参照图2，在一个例子中，第一孔208a贯穿涂层206的第二面218。在另一例子中，第一孔208b恰好贯穿涂层206的第二面218，而可裸露出底板202a的表面214。在又一个例子中，第一孔208c并未贯穿涂层206的第二面218，亦即这些第一孔208c并未接触且未裸露出底板202a的表面214。此外，上述第一孔208a、第一孔208b与第一孔208c于设置时，可全部个别仅呈现出第一孔208a、第一孔208b或第一孔208c的内凹形态。当然，此三种内凹形态亦可视需求而相互搭配设置。在另一个实施例中，坩埚200a还包括多个第二孔210。这些第二孔210凹设在底板202a的表面214中。这些第二孔210分别与涂层206中的第一孔208a对应，亦即每一第二孔2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种坩埚，包括：底板，具有一表面；以及涂层，设置在该底板的该表面上，其中该涂层包括相对的第一面与第二面，该第二面与该底板的该表面接触；及多个第一孔，设置于该涂层上，且该多个第一孔沿该涂层的该第一面朝该第二面的方向延伸凹设。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨镇豪，何铠安，周建纲，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71