用于具有单金属层基底的半导体封装中的高速信号完整性的结构制造技术

在基底（103）上的具有键合焊盘（110）的半导体芯片（101），该基底具有多行多列规则间距的金属接触焊盘（131）。一个区包括第一对（131a，131b）和平行的第二对（131c，131d）金属焊盘，以及用于地电位的单个接触焊盘（131e）；通过平行且等长的迹线（131a，132b等）连接到相应的各对相邻接触焊盘的交错的多对缝合焊盘（133）。平行且等长的键合引线（120a，120b等）将键合焊盘对连接到缝合焊盘对，从而形成多对平行且等长的差分导线。处于平行且对称位置的两个差分对形成用于传导高频信号的发射器/接收器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于具有单金属层基底的半导体封装中的高速信号完整性的结构
本专利技术总体涉及半导体器件和工艺，更具体涉及用于具有单金属层基底和引线键合的半导体封装中的高速信号完整性的结构的配置和制造方法。
技术介绍
半导体器件通常包括包封该器件的封装内的集成电路（IC）芯片以及与该芯片集成的基底。为了使现代半导体器件按照预期工作，要求传播通过器件的任何一对差分信号在信号波的相对幅值和相对相位角方面在预定限度内匹配。对于关于差分信号的集成电路（IC）芯片的设计，基本模块（buildingblock）可以采用通过相互交错（interdigitate）部件的关键版图而已经被匹配的电路部件，例如晶体管和电阻器。对于将信号从IC芯片引导到例如印制电路板（PCB）的基底或载体的设计，设计者通常面对类似的要求－通常存在将成对的差分信号的路径失配保持在限度内的约束。作为示例，对于在聚合物基底（如本领域中常见的）中传播的10GHz信号，波长仅仅是大约1.5厘米。对于差分信号对，信号路径总长度中仅0.75毫米的失配就会在相位角中产生5%的误差。该失配不仅涉及信号路径的长度（其包括基底上的金属迹线的长度和将IC芯片连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：在芯片边缘附近具有键合焊盘的半导体芯片，所述芯片被组装在基底上；具有面向所述芯片的金属层的所述基底，该层被图形化在包括尺寸被设计为接触焊盘的多行多列规则间距的焊盘的阵列中；在所述阵列内的区，该区包括第一对接触焊盘和平行的第二对接触焊盘，并且在所述第一对和所述第二对之间的空间中包括用于地电位的单个接触焊盘和尺寸被设计为缝合焊盘的交错的多对焊盘，每个缝合焊盘对通过平行且等长的迹线连接到相应的相邻接触焊盘对；键合引线，其跨越平行且等长的拱形，用于将一对键合焊盘连接到相应的一对缝合焊盘，由此形成从键合焊盘到接触焊盘的一对平行且等长的差分导线；以及处于平行且对称位置的两对差分导线...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.14 US 61/507,870;2011.11.29 US 13/306,4861.一种用于高速电信号的半导体器件，其包括：在芯片边缘附近具有键合焊盘的半导体芯片，所述芯片被组装在基底上；所述基底具有面向所述芯片的金属层，所述金属层被图形化成包括尺寸被设计为接触焊盘的多行多列规则间距的焊盘的阵列；在所述阵列内的区，所述区包括第一对接触焊盘和第二对接触焊盘，所述第一对接触焊盘平行于所述第二对接触焊盘，并且在所述第一对接触焊盘和所述第二对接触焊盘之间的空间中包括用于地电位的单个接触焊盘，所述区还包括尺寸被设计为缝合焊盘的交错的多对焊盘，每个缝合焊盘对通过平行且等长的迹线连接到相应的相邻接触焊盘对；键合引线，其跨越平行且等长的拱形，用于将一对键合焊盘连接到相应的一对缝合焊盘，由此形成从键合焊盘到接触焊盘的一对平行且等长的差分导线；以及处于平行且对称位置的两对差分导线，这两个差分对形成发射器/接收器单元，用于以完整性传导高频信号。2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括附连到远离所述芯片的接触焊盘表面的焊接凸点。3.根据权利要求2所述的器件，其中形成差分对中的一个导线的导体的总和与形成该对中的另一个导线的导体的总和在5％内一致。4.根据权利要求3所述的器件，其中形成差分对的两个导线的键合引线在它们的整个长度上彼此间隔开100μm内。5.根据权利要求4所述的器件，其中形成差分对的两个导线的键合引线相对于彼此在5°平行度内。6.根据权利要求5所述的器件，其中两个差分对之...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·E·霍华德，M·D·罗米格，MS·A·米勒罗恩，S·慕克吉，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US