发光器件封装制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件封装。发光器件封装包括封装体，具有设置在封装体的至少一部分中的上部开口的腔；第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层通过在第一电极层和第二电极层与封装体之间插入的绝缘层与封装体电隔离，第一电极层和第二电极层在腔的底面处彼此电隔离；发光器件，被设置在腔的底面上，被配置成通过腔的开口区域发射光；以及传感器，被设置在腔的外部、封装体的至少一部分上，被配置成测量发光器件的输出。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年10月26日在韩国递交的No.10-2012-0119535和2012年10月26日在韩国递交的No.10-2012-0119536的韩国专利申请的优先权，通过引用将其全部内容包含在本文中。
实施方式涉及发光器件封装。
技术介绍
得益于装置材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族化合物半导体或者II-VI族化合物半导体的发光器件能够发射各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外光等，该发光器件例如LED（Light Emitting Diode，发光二极管）或LD（Laser Diode，激光二极管）。进一步的，通过对荧光物质的使用或者颜色的组合，这些发光器件能够高效地发射白光，并且，相比传统光源例如荧光灯、白炽灯等，这些发光器件具有低能耗、半永久性寿命、快速响应时间、安全和环保的优点。相应地，发光器件的应用扩展到光通信装置的传输模块、替代用作LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）设备的背光灯的CCFL（Cold Cathode Fluorescence Lamps，冷阴极荧光灯）的LED背光灯、替代荧光灯或白炽灯、车辆的车头灯和交通信号灯的白色LED发光设备。图1是示出了传统发光器件封装的图。发光器件封装100可以包括具有腔的封装体110和位于该腔的底面的发光器件10。在封装体110的下面可以设置散热片（未示出）。在封装体110上可以设置第一引线框121和第二引线框122。第一引线框121和第二引线框122可以延伸至腔的底面，使得第一引线框121的一部分和第二引线框122的一部分设置在底面，并且可以与发光器件10电连接。发光器件10可以通过导电粘合剂130与第一引线框121电连接，并且可以通过导线140与第二引线框122电连接。腔内例如填充有包含荧光物质150的成型部件160来保护发光器件10和导线140。荧光物质150被发光器件10发射的第一波长范围的光所激发，从而发射第二波长范围的光。但是，传统的发光器件封装具有以下问题。发光器件不但发射上述第一波长范围的光还发热，这对发光器件的驱动具有不利影响。另外，根据相同规格制造的发光器件在热发射方面可能轻微不同。传统上，在发光器件的驱动过程中发光器件可能呈现温度增加，温度增加到大约60～80℃的范围，并且必要时，必须根据外部环境（例如发光器件封装所在位置的亮度）来调节发光器件封装的温度。相应地，需要通过测量发光器件处或周围的热来调节发光器件封装的温度。另外，从发光器件发射的光量可能随着被施加的电压、发光器件的构成等而不同，甚至按照相同规格制造出来的发光器件在光发射方面可能轻微不同。必要时，需要根据外部环境例如发光器件封装所在位置的亮度来调节发光器件封装的光量。相应地，需要通过测量发光器件处或周围的光量来调节发光器件封装的光量。
技术实现思路
实施方式提供一种发光器件封装，其中通过感测发光器件处或周围的温度/热量来调节发光器件释放的热量。另外，实施方式提供一种发光器件封装，其中可以通过测量发光器件处或周围的光量来调节光量。在一种实施方式中，一种发光器件封装包括封装体，具有设置在封装体的至少一部分中的上部开口的腔；第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层通过在第一电极层和第二电极层与封装体之间插入的绝缘层与封装体电隔离，第一电极层和第二电极层在腔的底面处彼此电隔离；发光器件，被设置在腔的底面上，被配置成通过腔的开口区域发射光；以及传感器，被设置在腔的外部、封装体的至少一部分上，以测量发光器件的输出。传感器可以是被配置成测量发光器件的温度的热传感器。热传感器可以包括热感测部分和电极极板。热感测部分和电极极板可以通过在它们之间插入的热传递部分彼此接触。热传递部分可以由钛（Ti）构成，热传递部分的厚度可以在25nm至100nm的范围内。热感测部分可以由镍（Ni）构成，热感测部分的厚度可以在100nm至500nm的范围内。电极极板可以由铝（Al）构成，电极极板的厚度可以在100nm至500nm的范围内。热传感器的尺寸可以在0.3μm至1μm的范围内。传感器可以是用于测量发光器件发射的光的强度的光传感器，并且该光传感器可以与封装体集成。腔可以是封装体的至少部分凹陷的部分，封装体可以包括围绕腔的开口区域的抬高部分，并且光传感器可以被设置在抬高部分上。光传感器可以包括光传感器主体、在光传感器主体的第一表面和第二表面上设置的第一绝缘膜和第二绝缘膜、以及电极层。光传感器主体可以由多晶硅构成，并且光传感器主体的厚度可以在0.5μm至5μm的范围内。第一绝缘膜或者第二绝缘膜中的至少一个可以由Si3N4构成，并且绝缘膜的厚度可以在30nm至100nm的范围内。光传感器还可以包括被配置成将光传感器主体和电极层彼此电连接的光感测部分。电极层可以被配置成多个折叠线。光传感器可以包括与封装体接触的第一区域和与腔的底面面对的第二区域。电极层可以被配置成在光传感器的第二区域内的多个平行折叠线。光传感器可以采用悬臂的形式，悬臂的一部分被固定到抬高部分，悬臂的另一部分暴露于腔。在另一实施方式中，发光器件封装包括封装体，具有设置在封装体的至少一部分中的上部开口的腔和围绕腔的开口区域的抬高部分；第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层通过在第一电极层和第二电极层与封装体之间插入的绝缘层与封装体电隔离，第一电极层和第二电极层在腔的底面处彼此电隔离；发光器件，被设置在腔的底面上，以通过腔的开口区域发射光；以及半导体层，被设置在抬高部分上。在另一实施方式中，发光器件封装包括：封装体，具有设置在封装体的至少一部分中的上部开口的腔，封装体由硅构成；第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层通过在第一电极层和第二电极层与封装体之间插入的绝缘层与封装体电隔离，第一电极层和第二电极层在腔的底面彼此电隔离；基于氮化物的发光器件，被设置在腔的底面上，通过腔的开口区域发射光；以及热传感器，被设置在封装体上、围绕腔的开口区域。附图说明参照下面的附图可以对配置和实施方式进行详细描述，附图中相似的标号指的是相似的元件，其中：图1是示出传统发光器件封装的图；图2是示出发光器件封装的实施方式的配置的框图；图3A和图3B是示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装体，具有设置在所述封装体的至少一部分中的上部开口的腔；第一电极层和第二电极层，通过在所述第一电极层和所述第二电极层与所述封装体之间插入的绝缘层与所述封装体电隔离，所述第一电极层和所述第二电极层在所述腔的底面处彼此电隔离；发光器件，所述发光器件被设置在所述腔的所述底面上，被配置成通过所述腔的开口区域发射光；以及传感器，所述传感器被设置在所述腔的外部、所述封装体的至少一部分上，被配置成测量所述发光器件的输出。

【技术特征摘要】
2012.10.26 KR 10-2012-0119536;2012.10.26 KR 10-2011.一种发光器件封装，包括：
封装体，具有设置在所述封装体的至少一部分中的上部开口的腔；
第一电极层和第二电极层，通过在所述第一电极层和所述第二电极层
与所述封装体之间插入的绝缘层与所述封装体电隔离，所述第一电极层和
所述第二电极层在所述腔的底面处彼此电隔离；
发光器件，所述发光器件被设置在所述腔的所述底面上，被配置成通
过所述腔的开口区域发射光；以及
传感器，所述传感器被设置在所述腔的外部、所述封装体的至少一部
分上，被配置成测量所述发光器件的输出。
2.根据权利要求1所述的封装，其中所述传感器是被配置成测量所
述发光器件的温度的热传感器。
3.一种发光器件封装，包括：
封装体，具有设置在所述封装体的至少一部分中的上部开口的腔，所
述封装体由硅构成；
第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层通过在
所述第一电极层和所述第二电极层与所述封装体之间插入的绝缘层与所
述封装体电隔离，所述第一电极层和所述第二电极层在所述腔的底面处彼
此电隔离；
基于氮化物的发光器件，所述发光器件被设置在所述腔的底面上，被
配置成通过所述腔的开口区域发射光；以及
热传感器，所述热传感器被设置在所述封装体上、围绕所述腔的所述
开口区域。
4.根据权利要求2或3所述的封装，其中，所述热传感器包括热感
测部分和电极极板。
5.根据权利要求4所述的封装，其中，所述热感测部分和所述电极
极板利用在它们之间插入的热传递部分彼此接触。
6.根据权利要求5所述的封装，其中，所述热传递部分由钛Ti构成。
7.根据权利要求5所述的封装，其中，所述热传递部分的厚度在25nm

\t至100nm的范围内。
8.根据权利要求4所述的封装，其中，所述热感测部分由镍Ni构成。
9.根据权利要求4所述的封装，其中，所述热感测部分的厚度在
100nm至500nm的范围内。
10.根据权利要求4所述的封装，其中，所述电极极板由铝Al构成。
11.根据权利要求4所述的封装，其中，所述电极极板的厚度在100nm
至500nm的范围内。
12.根据权利要求2或3所述的封装，其中，所述热传感器的尺寸在
0.3μm至1μm的范围内。
13.一种发光器件封装，包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵范哲，金文燮，金振冠，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR