【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，涉及半导体
。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，其包括NMOS区和PMOS区；步骤S102：对所述半导体衬底进行LDD处理；步骤S103：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层；步骤S104：对所述半导体衬底进行干法刻蚀以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：对所述半导体衬底进行退火处理；步骤S106：对所述半导体衬底进行湿法刻蚀以改善所述凹槽的形状，改善后的凹槽为sigma型；步骤S107：在所述凹槽中形成锗硅层。该半导体器件的制造方法，在干法刻蚀形成凹槽的步骤之后，增加了进行热退火处理的步骤，使非晶化的半导体衬底重新结晶化，避免了由于半导体衬底非晶化导致的锗硅堆叠位错现象，提高了半导体器件的性能。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及。
技术介绍
在半导体
中，对于45nm节点以下的先进的半导体技术，应力工程成为器件性能提升的最重要的因素之一。对于PM0S，锗硅技术可以通过给沟道施加压应力来提高载流子迁移率。但是，在现有技术中，在锗硅(SiGe)工艺中很容易产生锗硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韦庆松，于书坤，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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