一种OPC方法以及制备掩膜版的方法技术

本发明专利技术提供一种OPC方法以及制备掩膜版的方法，引入了掩膜版误差增强因子，并设计出与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格，结合边缘放置误差的影响，来优化图案，克服了掩膜版误差增强因子的存在造成图案的较大的震荡，使得现有的OPC过程收敛性差的问题得到了解决，并且能够提高精确度，故不再需要编写大量脚本，还能够缩短一个OPC过程所需要的循环次数，从而节省了时间，有利于生产出优秀的掩膜版。

【技术实现步骤摘要】
一种OPC方法以及制备掩膜版的方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种OPC方法以及制备掩膜版的方法。
技术介绍
集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程，其中，光刻技术是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要动力，光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。光刻工艺通常是将需要制造的电路结构设计在掩膜版上，之后通过光刻机台将掩膜版上的电路结构放大，复制到硅片上。但是，由于光波的性质和实际投影曝光系统的问题，会有衍射受限或者成像系统的非线性滤波造成严重的能量损失，即光学近似效应（OpticalProximityEffect，OPE），从而不可避免的就会使得在将电路结构放大复制的过程中，会产生失真，尤其是对于180微米以下工艺阶段，这种失真的影响将非常巨大，完全能够让整个制程失败。为了避免这种情况发生，业界采用光学近似修正（OpticalProximityCorrection，OPC）方法，对电路结构进行预先的修正，使得修正后能够补偿OPE效应所带来的缺失部分。OPC通常可以分为基于规则的OPC（RuleBasedOPC）和基于模型的OPC（ModelBasedOPC），目前，随着电路结构的日趋复杂，基于模型的OPC已经成为主流，这是由于这种方法能够对特征图案的实际曝光结果进行仿真，从而能够实现仿真图案与物理设计的匹配。目前的OPC所采用的方法是一次OPC包括多个循环（iteration），请参照图1虚线所示部分，每个循环计算边缘放置误差（EdgePlacementError，EPE），设定原始反馈系数值，则最终图案边的移动量为EPE与原始反馈系数值的乘积，并由此根据仿真模型优化图案，最终得到所需要的图案。但是随着工艺节点发展到32/28纳米及以下，现有的上述两种OPC由于高密度和复杂结构会使得展现出OPC收敛性差的问题，极大的影响着OPC程序（recipe）的设计和优化。同时，为了制程考虑，通常设计人员不能够制作一些复杂的结构，另外，为了应对某些区域的特殊要求，还需要编写大量的脚本等。这就导致现有的OPC方法存在大量的问题，诸如精确度差，市场竞争力薄弱及对初始设计依赖性强，不能够随意变动，操作复杂，有效性差等缺陷，也就不能够制备出优秀的掩膜版。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OPC方法以及制备掩膜版的方法，以解决现有技术中OPC方法操作复杂、有效性差而影响掩膜版的制备的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种OPC方法，包括：建立与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格；根据工艺模型优化原始图案，获得优化后的图案；计算优化后的图案的边缘放置误差，若所述边缘放置误差不符合标准，则计算掩膜版误差增强因子，根据所述掩膜版误差增强因子以及所述与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格获得反馈系数百分比，根据所述反馈系数百分比调整所述优化后的图案，如此循环直至所述边缘放置误差符合标准，以形成矫正后的图案；输出矫正后的图案。可选的，对于所述的OPC方法，所述与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格包括掩膜版误差增强因子的值和与所述掩膜版误差增强因子的值相对应的反馈系数百分比。可选的，对于所述的OPC方法，调整所述优化后的图案的方法为：设定原始反馈系数值；计算掩膜版误差增强因子，按照掩膜版误差增强因子的值从与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格中选取反馈系数百分比；计算最终反馈系数值，所述最终反馈系数值为所述原始反馈系数值及反馈系数百分比的乘积；按照最终反馈系数值调整所述优化后的图案。可选的，对于所述的OPC方法，调整所述优化后的图案为移动图案的边，所述图案边的移动量为边缘放置误差与最终反馈系数值的乘积。可选的，对于所述的OPC方法，所述掩膜版误差增强因子为显影后在硅片上测量的尺寸变化量与掩膜版尺寸的变化量的比。可选的，对于所述的OPC方法，在首次计算掩膜版误差增强因子之前，由人工设定所述原始反馈系数值。可选的，对于所述的OPC方法，在第二次及之后的计算掩膜版误差增强因子之前，由OPC设备设定所述原始反馈系数值。可选的，对于所述的OPC方法，在后一个循环中的所述边缘放置误差比在前一个循环中的所述边缘放置误差大，则在后一个循环中的所述原始反馈系数值大于在前一个循环中的所述原始反馈系数值。可选的，对于所述的OPC方法，在后一个循环中的所述边缘放置误差比在前一个循环中的所述边缘放置误差小，则在后一个循环中的所述原始反馈系数值小于在前一个循环中的所述原始反馈系数值。可选的，对于所述的OPC方法，在后一个循环中的所述边缘放置误差与在前一个循环中的所述边缘放置误差相同，则在后一个循环中的所述原始反馈系数值等于在前一个循环中的所述原始反馈系数值。本专利技术提供一种制备掩膜版的方法，包括：提供基板；利用如上所述的OPC方法形成的矫正后的图案制备掩膜版。与现有技术相比，在本专利技术提供的OPC方法以及制备掩膜版的方法中，引入了掩膜版误差增强因子，并设计出与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格，结合边缘放置误差的影响，来优化图案，克服了掩膜版误差增强因子的存在造成图案的较大的震荡，使得现有的OPC过程收敛性差的问题得到了解决，并且能够提高精确度，不再需要编写大量脚本，还能够缩短一个OPC过程所需要的循环次数，从而节省了时间，有利于高效的生产出符合标准的掩膜版。附图说明图1为现有工艺的OPC过程的流程图；图2为现有工艺的OPC过程所获取的修正后的图案；图3为本专利技术实施例的制备掩膜版的方法的流程图；图4为本专利技术实施例的制备掩膜版的方法中OPC过程第一次优化后的图案；图5为本专利技术实施例的制备掩膜版的方法中OPC过程所得到的图案。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提供的OPC方法以及制备掩膜版的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图2，一种制备掩膜版的方法，采用OPC过程，主要包括：预先建立与掩膜版误差增强因子（MaskErrorEnhancementFunction，MEEF）相关的反馈系数调整表格。表格的具体样式及内容可以如表一所示但并不限于此，可由具体要处理的电路结构以及经验值而定。表一具体的，所述MEEF=Δ1/Δ2；其中，Δ1为ADI的CD变化量，即显影后在硅片上测量（AfterDevelopmentInspection，ADI）的尺寸变化量；Δ2为Mask的CD变化量，即掩膜版的尺寸变化量。接着，根据工艺模型，例如可以为光刻模型或者刻蚀模型，对原始图案进行仿真模拟，获得模拟后的轮廓图案，即优化后的图案，并计算边缘放置误差（EPE），请参考图3，优化后的图案102与目标版图101之间的边缘误差即为EPE，图中标出的为该次模拟后的两个较大的EPE，根据设定的EPE标准（比如可以是EPE绝对值最大不超过1.5nm）进行判断，通常，一次优化后的图案是不能够达到标准的，也就是说，该次的EPE是不符合标准，这表面在图案的某些方位处还是不够完善，需要进一步优化，即如图3所示的情况，在第一次优化后，EPE最大为4nm，该值太大，不符合标准。若所述EPE不合标准，设定原始反馈系数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OPC方法，其特征在于，包括：建立与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格；根据工艺模型优化原始图案，获得优化后的图案；计算优化后的图案的边缘放置误差，若所述边缘放置误差不符合标准，则计算掩膜版误差增强因子，根据所述掩膜版误差增强因子以及所述与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格获得反馈系数百分比，根据所述反馈系数百分比调整所述优化后的图案，如此循环直至所述边缘放置误差符合标准，以形成矫正后的图案；输出矫正后的图案。

【技术特征摘要】
1.一种OPC方法，其特征在于，包括：建立与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格，包括掩膜版误差增强因子的值和与所述掩膜版误差增强因子的值相对应的反馈系数百分比；根据工艺模型优化原始图案，获得优化后的图案；计算优化后的图案的边缘放置误差，若所述边缘放置误差不符合标准，则计算掩膜版误差增强因子，根据所述掩膜版误差增强因子以及所述与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格获得反馈系数百分比，根据所述反馈系数百分比调整所述优化后的图案，如此循环直至所述边缘放置误差符合标准，以形成矫正后的图案；输出矫正后的图案；其中，根据所述反馈系数百分比调整所述优化后的图案包括设定原始反馈系数值；计算掩膜版误差增强因子，按照掩膜版误差增强因子的值从与掩膜版误差增强因子相关的反馈系数调整表格中选取反馈系数百分比；计算最终反馈系数值，所述最终反馈系数值为所述原始反馈系数值及反馈系数百分比的乘积；按照最终反馈系数值调整所述优化后的图案。2.如权利要求1所述的OPC方法，其特征在于，调整所述优化后的图案为移动图案的边，所述图案边的移动量为边缘放置误差与最终反馈系数值的乘积。3.如权利要求1所述的OPC方法，其特征在于，所述掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婉娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31