中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明公开了一种具有光电刺激和记录功能的神经成像系统,包括柔性植入式神经电极、PCB电路板和记录相机,所述PCB电路板和所述记录相机分别与所述柔性植入式神经电极连接。相应的,本发明还公开了一种制备上述具有光电刺激和记录功能的神经成像系统...
  • 本发明涉及一种气囊一体化的脉诊仪触觉传感阵列结构,包括气囊、PCB线路软板,所述气囊与导气管连通,所述气囊的人体接触面上开设有测试区域,所述测试区域内嵌入有与所述PCB线路软板相连的传感器阵列;所述传感器阵列包括多个传感器,所述传感器的...
  • 本发明提供一种超导连接通道及其制备方法,包括:1)制备一表层包括第一铌材料层的中间结构,于所述中间结构上覆盖第一绝缘材料层;2)图形化所述第一绝缘材料层,以形成通道开口并露出所述第一铌材料层的上表面,保留所述第一绝缘材料层上的光刻胶;3...
  • 本发明涉及一种用于高压容限电路的静电保护结构,包括:衬底,所述衬底上设置有阱区层,所述阱区层中相邻设置有第一阱区和第二阱区;所述阱区层上设置有掺杂离子层,所述掺杂离子层包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,所述第二掺杂区和第三掺杂区之...
  • 本发明涉及一种倒装芯片的凸点结构及其制备方法,其中,凸点结构包括基板,所述基板上形成有与所述基板相同材质的凸点;所述基板表面和凸点表面覆盖有绝缘层;所述绝缘层上形成有金属化层;所述金属化层包括金属布线层和凸点金属化,所述凸点金属化自所述...
  • 本发明提供一种低温超导薄膜,包括:n层电隔离层及n+1层超导材料层,所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置;通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度,所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内;其中,各超导材料层...
  • 本发明涉及一种对规则物体实现实时检测定位方法,包括以下步骤:将包含物体的感兴趣区域处理成二值化图像;对所述二值化图像进行积分处理,并通过聚类算法获取聚类中心点;根据所述聚类中心点估计出物体的距离和姿态关系。本发明还涉及一种对规则物体实现...
  • 本发明涉及一种基于深度相机的物体边界测量方法和装置,其中方法包括:通过深度相机获取被测物体在空间中发生空间变化前后的两张深度图;将两张深度图相减得到深度差值图,根据深度差值图得到被测物体的像素区域;通过所述深度相机内参和外参以及所述像素...
  • 本发明的数据增强方法、系统以及终端,包括:输入待增强图像;筛选所述待增强图像中的一或多个局部像素,以根据预设的增强区域选择条件获得与各局部像素分别对应的局部增强区域;基于数据打乱标准,分别对各局部增强区域中的一或多个像素进行数据打乱,获...
  • 本发明提供一种语义分割方法、系统、介质及装置,所述方法包括以下步骤:获取需要语义分割的图片,记录所述图片的尺寸为H×W×M,H表示图像高度,W表示图像宽度,M表示通道数;对所述图片进行边缘处理获得边缘连通图S;对所述图片基于预先训练好的...
  • 本发明的基于Adam的优化方法、系统以及终端,包括:将训练样本输入至具有一或多个模型参数的待优化Adam模型,获得预测结果;将预测结果与真实结果进行对比,与各模型参数的历史参数梯度下的自身大小信息分别结合,获得各模型参数在更新梯度下的自...
  • 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏装置,所述热屏装置用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部,所述热屏装置包括壳体、支撑件、隔热板和方向控制组件,所述支撑件与所述隔热板设于所述壳体内,所述支撑件的一端与所述壳体内壁固定连接,所述方向控制...
  • 本发明涉及一种热屏障装置及熔炼炉,其中,热屏障机构包括屏底和屏壁,屏底中心设有通孔,通孔用于通过待提拉的熔体,屏底包括第一层板、第二层板和侧板,侧板的一端与第一层板连接,第一层板靠近坩埚,第二层板远离坩埚,侧板另一端与第二层板连接,侧板...
  • 本发明涉及一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用,所述复合磨料以碳酸钙纳米颗粒为核,二氧化硅颗粒为壳。本发明具有独特的结构和性能,相比纯硅溶胶而言,对硅片、氧化硅片、二氧化硅层、氮化硅层等介质层材料的抛光速率更快;相比...
  • 本发明提供卫星间计算信息的交互方法,包括:卫星1建立计算负载信息表,其用于表征卫星1在卫星运行周期内的不同时间段的计算负载状态;卫星1将计算负载信息表及卫星1用于计算任务的总计算资源提供至卫星2;卫星2成功接收后向卫星1发送确认计算负载...
  • 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构,包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构,所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置;在此基础上...
  • 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片,包括第一折射层和第二折射层,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同,所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构,所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合;在此基础上,...
  • 本发明涉及一种晶圆涂胶系统,包括晶圆涂胶装置、加热装置和控制装置;晶圆涂胶装置用于对晶圆进行涂胶;加热装置包括加热板,加热板表面承载涂胶后晶圆,加热板划分成若干个加热区域,每个加热区域对应设有一个监测组件,监测组件包括温度监测件和警报器...
  • 本发明涉及薄膜材料技术领域,特别涉及一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用。方法包括:提供衬底基板和压电材料基板,衬底基板和/或压电材料基板的近表面层中具有通过离子注入形成的第一缺陷层;键合衬底基板和压电材料基板,得到包括衬底...
  • 本发明涉及薄膜材料技术领域,特别涉及一种异质衬底上的薄膜结构及其制备方法,包括:提供键合体,键合体包括异质衬底层和键合于异质衬底层上的薄膜材料基板层,薄膜材料基板层中具有缺陷层;获取预设剥离应力,所述预设剥离应力为在第一退火温度时所述薄...