一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉制造技术

本发明专利技术提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明专利技术还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明专利技术提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉。
技术介绍
单晶硅是现代通信技术、集成电路及太阳能电池等行业得以持续发展的材料基础，有着不可替代的作用。目前，从熔体中生长单晶硅主要的方法包括直拉法和区熔法。其中，由于直拉法生产单晶硅具有设备和工艺简单、容易实现自动控制、生产效率高、易于制备大直径单晶硅，以及晶体生长速度快、晶体纯度高和完整性高等优点，直拉法得以迅速发展。利用直拉式晶体生长炉生产单晶硅，需要将普通硅材料进行熔化，然后重新结晶。根据单晶硅的结晶规律，将原材料放在坩埚中加热熔化，控制温度比硅单晶的结晶温度略高，确保熔化后的硅材料在溶液表面可以结晶。结晶出来的单晶通过直拉炉的提升系统提出液面，在惰性气体的保护下冷却、成形，最后结晶成一个主体为圆柱体、尾部为圆锥体的晶体。单晶硅是在单晶炉热场中进行生长的，热场的优劣对单晶硅的生长和质量有很大的影响。好的热场不仅能够让单晶生长顺利，而且生长出的单晶质量高；而热场条件不完备时，则可能无法生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，包括支撑层(10)以及制备在所述支撑层(10)上的层叠结构(20)，所述层叠结构(20)包括第一折射层(21)和第二折射层(22)，所述第一折射层(21)的折射率与所述第二折射层(22)的折射率不同，所述第一折射层(21)和所述第二折射层(22)相互交替设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，包括支撑层(10)以及制备在所述支撑层(10)上的层叠结构(20)，所述层叠结构(20)包括第一折射层(21)和第二折射层(22)，所述第一折射层(21)的折射率与所述第二折射层(22)的折射率不同，所述第一折射层(21)和所述第二折射层(22)相互交替设置。


2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，所述层叠结构(20)与所述支撑层(10)通过所述第一折射层(21)相连接，或所述层叠结构(20)与所述支撑层(10)通过所述第二折射层(22)相连接。


3.根据权利要求2所述的一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，所述第一折射层(21)均由硅制得，所述第一折射层(21)的厚度在0.1μm-1μm的范围内，所述第一折射层(21)的粗糙度小于1.5A。


4.根据权利要求3所述的一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，所有所述第二折射层(22)均由二氧化硅制得，所述第二折射层(22)的厚度在0.1μm-1μm的范围内，所述第二折射层(22)的粗糙度小于2A。


5.根据权利要求3所述的一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，其特征在于，所有所述第二折射层(22)均由氮化硅制得，所述第二折射层(22)的厚度在0.1μm-1μm的范围内，所述第二折射层(22)的粗糙度小于2A。


6.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，李名浩，栗展，魏涛，刘赟，薛忠营，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31