用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本实用新型专利技术提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。

【技术实现步骤摘要】
用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置
本技术涉及直拉单晶生长
，尤其涉及一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置。
技术介绍
直拉单晶生长法又称为切克劳斯基法，它是1918年由切克劳斯基(Czochralski)技术的一种晶体生长方法，简称CZ法。CZ法的特点是在一个直筒型的热场中，通过加热将装在坩埚中的原料熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等过程，一支棒状单晶晶体材料就生长出来了。直拉法可应用于多种单晶晶体材料生长中，包括硅、锗、锑化铟等半导体材料，以及氧化物和其他绝缘类型的大晶体的制备，也可以利用直拉法生长一些单晶金属。目前直拉法在单晶硅晶体生长中得到广泛的应用。直拉单晶生长过程中，存在以下热平衡：总加热器功率+结晶潜热等效功率＝总散热功率(炉室冷却水带走+氩气流吸热功率)(1)即：结晶潜热等效功率＝总散热功率(炉室冷却水带走+氩气流吸热功率)-总加热器功率(2)从等式(2)可以看出，当长晶等径过程中，维持加热功率不变时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。


2.根据权利要求1所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述反射面是由母线围绕所述炉盖的轴线旋转一周形成，且所述反射面的外径从反射面的底部至所述反射面的顶部依次增大。


3.根据权利要求2所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线为直线或折线或曲线或直线与曲线的组合或折线与曲线的组合。


4.根据权利要求2所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线的底部与所述炉盖的轴线之间的夹角为10°～80°。


5.根据权利要求4所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线的底部与所述炉盖的轴线之间的夹角为30°～60°。


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【专利技术属性】
技术研发人员：王利伟，尹嘉琦，李万朋，滕野，陈召彬，
申请(专利权)人：大连连城数控机器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21