单晶炉热场装置及单晶炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开单晶炉热场装置及单晶炉。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉热场装置及单晶炉
本技术属于单晶炉
，尤其涉及单晶炉热场装置及单晶炉。
技术介绍
随着光伏行业平价上网时代的到来，国内晶硅行业竞争日益加剧，目前晶硅制造业主要朝着大热场、大装料、大尺寸方向发展，其中，直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术。直拉法生长单晶硅时，单晶炉为核心生产设备之一。通常，单晶炉包括加热器、坩埚和提拉头。通常，加热器设置在坩埚的外侧，用于对坩埚加热，而硅料则在坩埚内受热熔化形成硅熔体。提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒。随着光伏产业的不断发展，在保证品质的前提下如何降低成本成为一个亟待解决的重要问题。直拉法生长单晶硅时，降低成本最直接的方式即为提高生产效率。而提高生产效率首选提高晶体生长的速度，以缩短提拉晶时间。目前单晶炉提供的晶体生长速度较低，需要通过改造单晶炉及改进拉晶生产工艺来提高晶体生长速度。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提出单晶炉热场装置及单晶炉，以解决现有技术中晶体生长速度较低的问题。第一方面，本技术提供一种单晶炉热场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉热场装置，其特征在于，包括：/n热屏(1010)，所述热屏(1010)在其中心形成有气流通道；/n换热部件(1020)，所述换热部件(1020)设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；/n所述热屏(1010)设置在坩埚(2000)的上方；/n所述热屏(1010)具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件(1020)与所述坩埚(2000)内的硅熔体液面(2010)之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉热场装置，其特征在于，包括：
热屏(1010)，所述热屏(1010)在其中心形成有气流通道；
换热部件(1020)，所述换热部件(1020)设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；
所述热屏(1010)设置在坩埚(2000)的上方；
所述热屏(1010)具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件(1020)与所述坩埚(2000)内的硅熔体液面(2010)之间。


2.根据权利要求1所述的单晶炉热场装置，其特征在于，
所述底部在朝向所述硅熔体液面(2010)的一侧具有隔离面(1010A)；
所述隔离面(1010A)与所述硅熔体液面(2010)之间的距离为10-60mm。


3.根据权利要求1所述的单晶炉热场装置，其特征在于，还包括：
集热体(1030)；
所述集热体(1030)成组地设置于所述换热部件(1020)；
所述集热体(1030)位于所述换热部件(1020)朝向所述提拉通道的一侧。


4.根据权利要求3所述的单晶炉热场装置，其特征在于，
所述集热体(1030)包括凸起部；
所述凸起部自所述换热部件(1020)换热部件向所述提拉通道方向伸出。


5.根据权利要求3所述的单晶炉热场装置，其特征在于，
所述集热体(1030)与所述换热部件(1020)一体式加工而成；或
所述集热体(1030)焊接于所述换热部件(1020)；或
所述集热体(1030)螺纹连接于所述换热部件(1020)。


6.根据权利要求1所述的单晶炉热场装置，其特征在于，
所述换热部件(1020)包括自上而下连接的第一形状轮廓和第二形...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，严立新，付泽华，马少林，王建波，马宝，文永飞，谢志宴，
申请(专利权)人：华坪隆基硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53