一种半导体晶体生长装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明专利技术的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶体生长装置和方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体晶体生长装置和方法。
技术介绍
直拉法(Cz)是制备半导体及太阳能用硅单晶的一种重要方法，通过碳素材料组成的热场对放入坩埚的高纯硅料进行加热使之熔化，之后通过将籽晶浸入熔体当中并经过一系列(引晶、放肩、等径、收尾、冷却)工艺过程，最终获得单晶棒。在半导体晶体生长过程中，伴随着晶体的形核和生长，往往产生诸如晶体原生颗粒(COP)缺陷、氧化诱生层错(OISF)缺陷、直接表面氧化(DSOD)缺陷，以及产生沉淀物等的缺陷。这些缺陷与晶体生长过程中的温度密切相关，其中，晶棒从中心到边缘的温度均匀性分布是影响这些缺陷形成的关键因素。在拉晶过程中，传统的拉晶装置仅对硅熔体进行加热，而随着拉晶过程的进行，晶棒边缘散热远快于中心部位，造成晶棒边缘和中心温度分布不均匀，这种情况下往往导致晶棒生长过程中产生大量上述的缺陷，尤其是靠近硅溶液液面位置处的硅晶棒中心和边缘温度分布不均匀对晶体生长的缺陷将产生显著的影响。为此，有必要提出一种新的半导体晶体生长装置和方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：/n炉体；/n坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；/n提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及/n加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
炉体；
坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；
提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及
加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。


2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括微波加热装置。


3.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，还包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布。


4.根据权利要求3所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置设置在所述导流筒内侧。


5.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置设置在所述硅晶棒温度1000-1300℃的位置处。


6.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述微波加热装置的微波频率的范围为0.1GHz-30GHz。


7.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述微波加热装置的功率范围为1Kw-10Kw。


8.根据权利要求1所述的半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，沈伟民，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31