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本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出...该专利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。