一种N型单晶生长用半导体石墨热场制造技术

本发明专利技术公开了一种N型单晶生长用半导体石墨热场，包括石墨热场罐体和控制面板，所述石墨热场罐体内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层，所述石墨热场罐体顶部一侧的中间位置处设置有进料仓，所述进料仓的一端延伸至石墨热场罐体的内部，所述进料仓内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀和称重装置，且称重装置位于电磁隔离阀的正上方，所述石墨热场罐体内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A和预热锅支架；本发明专利技术装置通过将晶体物料加入预热锅，当石英锅内的晶体加热分解后通过输出导管导出后，预热锅内的晶体进入石英锅内，从而实现了不间断的加热方式，提高了热场的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
一种N型单晶生长用半导体石墨热场
本专利技术涉及半导体石墨热场
，具体为一种N型单晶生长用半导体石墨热场。
技术介绍
直拉硅单晶的生长热场主要有三部分构成：硅料承载部件、发热体部件及保温部件构成，发热体通电后发热，对炉中装载的硅料加热并融化，在用保温材料碳毡包裹的石墨保温部件和惰性气体保护下，形成一个稳定热场环境，硅料先后经过熔接、细颈、放肩、转肩、等径、收尾等阶段拉制成硅单晶。现有的热场装置多种多样，但是仍存在较为明显的问题：1、现有的热场缺少预热装置，在晶体加热需要较长时间周期；2、现有热场加热为间断性加热，在使用过程中，存在热量浪费且生产效率极低的现象；3、现有热场进料装置不具有称重功能，对生产数量不具有可控性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种N型单晶生长用半导体石墨热场，以解决上述
技术介绍
中提出现有的热场装置多种多样，但是仍存在较为明显的问题：现有的热场缺少预热装置，在晶体加热需要较长时间周期；现有热场加热为间断性加热，在使用过程中，存在热量浪费且生产效率极低的现象；现有热场进料装置不具有称本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型单晶生长用半导体石墨热场，包括石墨热场罐体（1）和控制面板（15），其特征在于：所述石墨热场罐体（1）内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层（2），所述石墨热场罐体（1）顶部一侧的中间位置处设置有进料仓（19），所述进料仓（19）的一端延伸至石墨热场罐体（1）的内部，所述进料仓（19）内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀（17）和称重装置（18），且称重装置（18）位于电磁隔离阀（17）的正上方，所述石墨热场罐体（1）内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A（3）和预热锅支架（4），且加热板支架A（3）位于预热锅支架（4）的正上方，所述加热板支架A（3）远离石墨热场罐体（1）的一端...

【技术特征摘要】
1.一种N型单晶生长用半导体石墨热场，包括石墨热场罐体（1）和控制面板（15），其特征在于：所述石墨热场罐体（1）内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层（2），所述石墨热场罐体（1）顶部一侧的中间位置处设置有进料仓（19），所述进料仓（19）的一端延伸至石墨热场罐体（1）的内部，所述进料仓（19）内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀（17）和称重装置（18），且称重装置（18）位于电磁隔离阀（17）的正上方，所述石墨热场罐体（1）内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A（3）和预热锅支架（4），且加热板支架A（3）位于预热锅支架（4）的正上方，所述加热板支架A（3）远离石墨热场罐体（1）的一端设置有加热板A（16），所述预热锅支架（4）远离石墨热场罐体（1）的一端设置有预热锅（14），所述预热锅（14）内部的中间位置处设置有过滤隔板（12），所述预热锅（14）的底部均匀设置有三组输料管（13），所述石墨热场罐体（1）内侧底端的中间位置处设置有锅体底座（8），所述锅体底座（8）的顶部位置处设置有石墨坩埚（9），所述石墨坩埚（9）的顶部位置处设置有石英锅（5），所述石英锅（5）底部的中间位置处设置有两组石英隔板（6），所述石英锅（5）底部的一侧设置有输出导管（7）...

【专利技术属性】
技术研发人员：武建军，张培林，柴利春，张作文，王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14