一种拉晶炉制造技术

本发明专利技术提供一种拉晶炉，包括：炉体，所述炉体内限定有腔室，所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口，所述炉体的底部设有与所述腔室连通的出口；基座，所述基座设在所述腔室内；坩埚，所述坩埚设在所述基座上；阻隔结构，所述阻隔结构设置于所述出口位置以阻挡所述腔室外部的气体流入所述腔室。在本发明专利技术的实施例中，阻隔结构设置于出口位置以阻挡腔室外部的气体流入腔室，在进行拉晶工艺的过程中，通过阻隔结构能够阻挡腔室外部的气体中的氧化物流入腔室内部，防止氧化物进入熔液中，避免氧化物诱发晶棒错位，提高晶棒的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶炉
本专利技术涉及拉晶炉
，具体涉及一种拉晶炉。
技术介绍
生产单晶硅棒时，在石英坩埚内填充多晶硅，熔化多晶硅，通过种子结晶与熔液面接触生长单晶晶棒。在石英坩埚中充填多晶硅后，把坩埚安装在炉室内，然后熔化多晶硅，在熔化过程中产生很多氧化物，许多氧化物根据炉室内部流速的流动从排气管道排出，但是在进行拉晶工艺的过程中，如果炉室内部和排气管道内部出现压力异常，排气管内部的氧化物就会流入炉室内部，氧化物容易进入熔液中，氧化物是颗粒物类型，容易诱发晶棒错位，影响晶棒的品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种拉晶炉，用以解决排气管内部的氧化物容易流入炉室内部，氧化物容易进入熔液中诱发晶棒错位，影响晶棒的品质的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术实施例的拉晶炉，包括：炉体，所述炉体内限定有腔室，所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口，所述炉体的底部设有与所述腔室连通的出口；基座，所述基座设在所述腔室内；坩埚，所述坩埚设在所述基座上；阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拉晶炉，其特征在于，包括：/n炉体，所述炉体内限定有腔室，所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口，所述炉体的底部设有与所述腔室连通的出口；/n基座，所述基座设在所述腔室内；/n坩埚，所述坩埚设在所述基座上；/n阻隔结构，所述阻隔结构设置于所述出口位置以阻挡所述腔室外部的气体流入所述腔室。/n

【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉，其特征在于，包括：
炉体，所述炉体内限定有腔室，所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口，所述炉体的底部设有与所述腔室连通的出口；
基座，所述基座设在所述腔室内；
坩埚，所述坩埚设在所述基座上；
阻隔结构，所述阻隔结构设置于所述出口位置以阻挡所述腔室外部的气体流入所述腔室。


2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述阻隔结构包括：
管体，所述管体设有沿所述管体的轴向方向贯穿的腔道；
多个挡板，多个所述挡板沿所述管体的轴向方向间隔开设置于所述管体的内壁，每个所述挡板与所述管体的内壁之间限定出开口，相邻的两个所述挡板与所述管体的内壁之间限定出的开口交错设置。


3.根据权利要求2所述的拉晶炉，其特征在于，相邻两个所述挡板在投影面上的投影至少部分重合，所述投影面为与所述管体的轴线垂直的平面。


4.根据权利要求3所述的拉晶炉，其特征在于，所述挡板由所述管体的上端向所述管体的下端斜向设置，所述管体的上端为所述管体的靠近所述炉体...

【专利技术属性】
技术研发人员：全弘湧，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61