一种新型晶体生长设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种新型晶体生长设备包括：由下往上依次设置的籽晶部件、籽晶原点部件、上炉体、隔离阀、下炉体和下腔体结构，籽晶部件和籽晶原点部件皆设于上炉体的上部，隔离阀设于下炉体的上部，下炉体设于下腔体结构包括：工作台，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚；腔体结构，可拆卸的设于工作台上且腔体结构的容纳腔设于工作台的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台齐平，所述容纳腔包括侧板和底板，底板的底面轴线上依次设有排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰；下保温桶，设于侧板的外围，所述下保温桶的外壁设有护套，所述底板的下方设有托盘。本实用新型专利技术具有拉晶效率高，使用效果好的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种新型晶体生长设备
本技术属于单晶
，涉及一种新型晶体生长设备。
技术介绍
晶体生长设备称之为拉晶炉、单晶炉或者半导体晶体生长炉，是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必要设备，而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。在晶体生长的过程中，晶体生长设备的作用如下：在晶体制备过程中，通过新型晶体生长设备可制备出太阳能级或电子级单晶硅，可提高拉晶的整体效率，降低拉晶成本，为长晶环境提供更好的生长环境。但是现有技术的单晶炉制备出的单晶硅具备下述缺陷：不仅单晶硅的尺寸偏小，不能生长出大尺寸的单晶硅棒，而且拉晶效率也不高，最终导致拉晶成本过高。综上所述，为解决现有的单晶炉的结构上的不足，本技术设计了一种结构简单、拉晶效率高的新型晶体生长设备。
技术实现思路
本技术为解决现有技术存在的问题，提供了一种结构简单、拉晶效率高的新型晶体生长设备。本技术的目的可通过以下技术方案来实现：一种新型晶体生长设备包括：由下往上依次设置的籽晶部件、籽晶原点部件、上炉体、隔离阀、下炉体和下腔体结构，籽晶部件和籽晶原点部件皆设于上炉体的上部，隔离阀设于下炉体的上部，下炉体设于下腔体结构包括：工作台，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚；腔体结构，可拆卸的设于工作台上且腔体结构的容纳腔设于工作台的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台齐平，所述容纳腔包括侧板和底板，底板的底面轴线上依次设有排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰；下保温桶，设于侧板的外围，所述下保温桶的外壁设有护套，所述底板的下方设有托盘。作为进一步的改进，所述坩埚轴接口法兰设于底板的圆心上，所述排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰之间设有支撑梁，该支撑梁延伸至侧板的侧壁。作为进一步的改进，所述底板与托盘之间设有底保温毡。作为进一步的改进，相邻所述支撑脚之间设有横杆，所述横杆之间还设有T型加强板。作为进一步的改进，所述排气接口法兰内设有排气护套，所述坩埚轴接口法兰的接口上设有轴护套。与现有技术相比，本技术的整体结构设计合理，通过在腔体结构的外侧和底部设置有保温层，且保温层的厚度可根据实际的需求，由设计者自定，其中外侧的保温层厚度即为下保温桶的厚度，底部的保温层厚度即为底保温毡的厚度。在单晶炉拉晶过程中，采用下腔体结构，有效的降低了拉晶功率，降低拉晶成本，彻底解决了原技术作业产生的带走热量多、拉晶功率高的现象，保证了热场温度梯度的均匀性，适合推广应用。附图说明图1是本技术中新型晶体生长设备的主视图。图2是本技术中新型晶体生长设备的左视图。图3是本技术中新型晶体生长设备的右视图。图4是本技术中新型晶体生长设备下腔体结构的立体结构示意图。图5是本技术中腔体结构的立体结构示意图。图6是本技术中腔体结构的仰视图。图7是本技术中腔体结构的另一个视角的立体结构示意图。图8是是本技术中新型晶体生长设备的结构示意图。图中，10-工作台，11-支撑脚，12-横杆，13-T型加强板，20-腔体结构，21-侧板，22-底板，23-排气接口法兰，24-坩埚轴接口法兰，25-电极接口法兰，30-下保温桶，31-护套，32-托盘，40-底保温毡，50-下腔体结构，60-下炉体，70-隔离阀，80-上炉体，90-籽晶原点部件，100-籽晶部件。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本技术的技术方案作进一步的阐述。如图1至图8所示，本新型晶体生长设备包括由下往上依次设置的籽晶部件100、籽晶原点部件90、上炉体80、隔离阀70、下炉体60和下腔体结构50，籽晶部件100和籽晶原点部件90皆设于上炉体80的上部，隔离阀70设于下炉体60的上部，下炉体60设于下腔体结构50上，下腔体结构50包括：工作台10，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚11；腔体结构20，可拆卸的设于工作台10上且腔体结构20的容纳腔设于工作台10的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台10齐平，所述容纳腔包括侧板21和底板22，底板22的底面轴线上依次设有排气接口法兰23、坩埚轴接口法兰24和电极接口法兰25；下保温桶30，设于侧板21的外围，所述下保温桶30的外壁设有护套31，所述底板22的下方设有托盘32。晶体生长设备称之为拉晶炉、单晶炉或者半导体晶体生长炉，是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必要设备，而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。在晶体生长的过程中，晶体生长设备的作用如下：在晶体制备过程中，通过新型晶体生长设备可制备出太阳能级或电子级单晶硅，可提高拉晶的整体效率，降低拉晶成本，为长晶环境提供更好的生长环境。但是现有技术的单晶炉制备出的单晶硅具备下述缺陷：不仅单晶硅的尺寸偏小，不能生长出大尺寸的单晶硅棒，而且拉晶效率也不高，最终导致拉晶成本过高。为此，本技术设计了一种新型晶体生长设备，本新型晶体生长设备包括由下往上依次设置的籽晶部件100、籽晶原点部件90、上炉体80、隔离阀70、下炉体60和下腔体结构50，通过在工作台10的下方设有可拆卸的腔体结构20，在侧板21的外围设有下保温桶30，保温桶30的外壁设有护套31，保温桶30的设置使得热场温度梯度的均匀性，降低了拉晶的功率，降低拉晶的成本；再者，腔体结构20的整体结构使得不带冷却水冷却的效果实现对热场底部温区温度的保护，有效降低了晶棒拉制的成本，而且使得制备出的单晶硅的尺寸符合要求，能够生长出大尺寸的单晶硅棒，有效提高了拉晶的效率，降低拉晶成本。其中，底板22到工作台10的距离为a，侧板21的高度为b，满足数量关系b大于a，如此设置，底板22为的设置方式为距离侧板21的两个端面有一定的距离，构成了设置底部保温层的容纳腔。作为进一步的优选实施例，所述侧板21的外围设有若干等间距设置的支撑板211。腔体结构20为圆形，侧板21构成了腔体结构20的侧边，其中，支撑板211的一边抵靠连接侧板21，另一边抵靠连接腔体结构的开口边，如此设置，在使用过程中，开口边为与工作台10的连接面，增加支撑强度，利于长期使用，支撑效果佳。作为进一步的优选实施例，所述坩埚轴接口法兰24设于底板22的圆心上，所述排气接口法兰23、坩埚轴接口法兰24和电极接口法兰25之间设有支撑梁，该支撑梁延伸至侧板21的侧壁。法兰之间设有支撑梁使得在使用过程中，底板22与侧板21以及排气接口法兰23、坩埚轴接口法兰24和电极接口法兰25之间的整体性更佳，稳定性好，利于长期使用。作为进一步的改进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型晶体生长设备，其特征在于，包括：由下往上依次设置的籽晶部件(100)、籽晶原点部件(90)、上炉体(80)、隔离阀(70)、下炉体(60)和下腔体结构(50)，籽晶部件(100)和籽晶原点部件(90)皆设于上炉体(80)的上部，隔离阀(70)设于下炉体(60)的上部，下炉体(60)设于下腔体结构(50)上，下腔体结构(50)包括：工作台(10)，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚(11)；腔体结构(20)，可拆卸的设于工作台(10)上且腔体结构(20)的容纳腔设于工作台(10)的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台(10)齐平，所述容纳腔包括侧板(21)和底板(22)，底板(22)的底面轴线上依次设有排气接口法兰(23)、坩埚轴接口法兰(24)和电极接口法兰(25)；下保温桶(30)，设于侧板(21)的外围，所述下保温桶(30)的外壁设有护套(31)，所述底板(22)的下方设有托盘(32)。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型晶体生长设备，其特征在于，包括：由下往上依次设置的籽晶部件(100)、籽晶原点部件(90)、上炉体(80)、隔离阀(70)、下炉体(60)和下腔体结构(50)，籽晶部件(100)和籽晶原点部件(90)皆设于上炉体(80)的上部，隔离阀(70)设于下炉体(60)的上部，下炉体(60)设于下腔体结构(50)上，下腔体结构(50)包括：工作台(10)，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚(11)；腔体结构(20)，可拆卸的设于工作台(10)上且腔体结构(20)的容纳腔设于工作台(10)的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台(10)齐平，所述容纳腔包括侧板(21)和底板(22)，底板(22)的底面轴线上依次设有排气接口法兰(23)、坩埚轴接口法兰(24)和电极接口法兰(25)；下保温桶(30)，设于侧板(21)的外围，所述下保温桶(30)的外壁设有护套(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金海，徐永根，
申请(专利权)人：浙江晶阳机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33