【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体外延层电阻率的测量方法。
技术介绍
1、外延层是指在半导体衬底上生长的具有不同掺杂浓度和厚度的半导体层，是制造集成电路的重要材料。外延层的电阻率是影响其电学性能的关键参数，因此需要对其进行准确的测量。
2、目前，常用的外延层电阻率的测量方法有四探针法、扩展电阻法、mos c-v法等。其中四探针法是一种直接测量外延层电阻率的方法，其原理是在外延层表面排列四个探针，其中两个探针施加电流，两个探针测量电压，根据点电流源的电势分布公式，计算出外延层的电阻率。
3、但是，四探针法也存在一些问题，如：(1)测量与衬底掺杂异型的外延片的电阻率时，耗尽区对测量结果产生的影响该如何去修正；(2)对于与衬底掺杂异型的多层外延片，如何测量各外延层的电阻率。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体外延层电阻率的测量方法，能够准确测量与衬底掺杂异型的外延片各外延层的电阻率。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术...
【技术保护点】
1.一种半导体外延层电阻率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述利用所述第一外延层的耗尽区厚度对所述待测外延片各个外延层的电阻率进行修正，包括：
3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述第一外延层的耗尽区厚度通过以下公式计算得到
4.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述判据不等式为：
5.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述获取待测外延片各个外延层的电阻率，包括以下步骤：
6.据权利要求5所述的测量方法，其特征在于，所述外延片样...
【技术特征摘要】
1.一种半导体外延层电阻率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述利用所述第一外延层的耗尽区厚度对所述待测外延片各个外延层的电阻率进行修正，包括：
3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述第一外延层的耗尽区厚度通过以下公式计算得到
4.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述判据不等式为：
...【专利技术属性】
技术研发人员：郑理，俞涛，程新红，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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