本发明提供一种具有纳米级空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成叠层结构，自下而上包括下牺牲材料层、牺牲介质层及上牺牲材料层，形成辅助侧墙，基于辅助侧墙依次刻蚀出第一辅助凹槽、第二辅助凹槽、第三辅助...

本发明提供一种具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底和第二基底，在第一基底中进行离子注入形成预设剥离层，预设剥离层与需要形成的空腔结构之间具有预设距离，预设距离大于空腔结构的空腔特征尺寸的1/8，将第一基底和第...

本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基底键合，得到具有空...

本发明提供一种基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上设置有呈环形的环形栅极，半导体顶层中形成有第一极与第二极，第一极位于环形栅极内侧并被环形栅极包围，第二极位于环...

本发明提供一种具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法，包括依次堆叠的底衬底、绝缘层及顶半导体层的半导体基底，顶半导体层中包覆具有间距的隔离层；栅极结构在垂向上的投影覆盖间距并与隔离层形成交叠区域，源极区及漏极区在垂向上的投影完全位于隔离层...

本发明提供一种具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及制备方法，结构包括：具有底衬底、绝缘层及呈半导体岛的顶半导体层的图形化SOI衬底，绝缘层中具有凹槽，半导体岛完全覆盖凹槽；第一导电类型重掺杂区，形成于凹槽上方的沿第二方向延伸的顶半导体...

本发明提供一种基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上形成有条形栅极，条形栅极两侧分别形成有第一极与第二极，第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个，绝缘...

本发明提供一种可降低对准难度的SOI器件及其制备方法，制备方法包括：制备SOI复合衬底，其自下而上包括底半导体层、绝缘层以及顶半导体层，绝缘层中形成有多个间隔分布的空腔，顶半导体层覆盖所述空腔，绝缘层上和/或底半导体层中形成有对准标记；...

本发明提供一种基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层中插入有介质牺牲层；2)在器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀半导体层及介质牺牲层，以在介质牺牲层上下方分...

本发明提供一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底，半导体衬底中插入有介质牺牲层；2)定义器件区域，对器件区域进行阱掺杂，并器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀介质牺牲层上方的半导体层，以形成线型半导...

本发明提供一种减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：具有底衬底、绝缘层及呈半导体岛的顶半导体层的图形化SOI衬底，绝缘层中具有凹槽，凹槽包括沿第二方向延伸的主体凹槽及沿第一方向延伸且位于主体凹槽的两端并与其连通的至...

本发明提供一种具有隔离层的鳍式场效应晶体管及其制备方法，通过隔离层可将源、漏电极与漏电通路隔离，从根本上解决Fin结构底部漏电问题；通过源漏金属硅化层，可增大源漏掺杂区尺寸，以减小源漏接触电阻；通过阻挡层可进一步的避免形成漏电通路；从而...

本发明涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V‑I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V‑I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲...

本发明提供一种超导纳米线及超导纳米线单光子探测器，包括：依次形成于衬底上的光学结构及超导纳米线，超导纳米线包括依次交替叠置的n层电隔离层及n+1层超导纳米材料层；各超导纳米材料层的厚度从下至上依次递增、宽度从下至上依次递减，各超导纳米材...

本发明公开了柔性植入式神经光电极的光学器件，其设置于柔性聚合物衬底上，包括：输入光栅、波导和输出光栅，输入光栅为平行光栅，用于耦合入射光，波导的输入端与输入光栅耦合连接，波导的输出端与输出光栅耦合连接，输出光栅为聚焦光栅，用于将光耦合、...

本发明公开了一种颅内刺激记录系统，包括柔性光纤、激光器和柔性深部脑电极，柔性光纤与激光器连接，柔性深部脑电极通过夹具固定于柔性光纤上。相应的，本发明还公开了一种制备上述颅内刺激记录系统的方法。本发明将柔性深部脑电极附着于柔性光纤的表面，...

本申请提供一种脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构，该脑电极后端连接用凸点的制备方法包括以下步骤：在脑电极上制备凸点下金属层；凸点下金属层为镍金属层；在凸点下金属层上旋涂一层正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，暴露出凸点...

本申请实施例所公开的一种基于脑功能分区的柔性可拆分头皮脑电极的制备方法及其结构，根据大脑皮层的各功能区在头皮表面的位置映射以及各功能区在大脑颅骨上对应区域的弧度，确定头皮脑电极中电极区的数量和形状以划分和设计头皮脑电极，进而使得头皮脑电...

本申请涉及一种脑内信号采集器件及其制备方法、脑机接口，脑内信号采集器件包括生物丝蛋白基底；位于生物丝蛋白基底上的脑电极；脑电极用于采集脑电信号；位于脑电极上的第一生物丝蛋白绝缘层；位于第一生物丝蛋白绝缘层上的颅内信息采集层；颅内信息采集...

本发明公开了一种柔性植入式神经光电极，包括依次设置的记录电极层、金属互联层和光学器件层，记录电极层上设置有多个电极位点，金属互联层用于将电极位点与神经成像系统的后端相连，光学器件层用于将激光从神经成像系统的后端传输到柔性植入式神经光电极...