本发明公开了一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器，该方法包括：获取多个压电晶圆和多个预设衬底晶圆；对多个压电晶圆进行离子注入，得到多个离子注入后的压电晶圆；多个离子注入后的压电晶圆内具有离子注入损伤层；将多个离子注入后的压电晶圆...

本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压...

本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单...

本发明涉及一种异质压电薄膜结构及其制备方法，该异质压电薄膜结构包括衬底层；层叠在衬底层上的介质层；层叠在介质层上的过渡层；以及，层叠在过渡层上的压电薄膜层；其中，衬底层的热膨胀系数小于压电薄膜层的热膨胀系数；过渡层与压电薄膜层的组分相同...

本发明涉及一种可集成式中红外光探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上设置的：晶圆衬底；光隔离层；光波导层，光波导层刻蚀有包含光栅耦合器的无源光学器件结构，光栅耦合器正对金属下电极层；介质层，介质层沉积在所述光波导层之上；金属下电极层...

本发明基于边缘语义的视觉里程计方法、装置、存储介质及设备。所述基于边缘语义的视觉里程计方法包括：提取图像序列的边缘特征和语义信息，并分别对这二者进行距离变换，以得到边缘距离残差和语义距离残差；利用所述语义距离残差对所述边缘距离残差进行约...

本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，...

本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，...

本发明提供一种低轨卫星下行链路的功率分配方法，包括：低轨卫星初始化，建立马尔科夫决策过程；观测当前状态S

本发明提供了一种卫星通信系统中的终端登录方法，包括：终端接收高轨卫星的广播消息并向高轨卫星发送登录请求；高轨卫星接收登录请求并向终端发送登录请求响应，终端接收登录请求响应，在此过程中，基于登录请求或基于登录请求响应来指定为终端提供服务的...

本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电...

本发明涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供多孔硅衬底，在多孔硅衬底的上层沉积Ta

本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注...

本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压...

本申请提供一种热释电红外探测器的制备方法，包括：提供热释电衬底和支撑衬底；对热释电衬底进行第一预处理，在热释电衬底内构造损伤层，在热释电衬底表面形成第一电极；对支撑衬底进行第二预处理，在支撑衬底上形成锚点；将热释电衬底和支撑衬底进行键合...

本发明提供一种定焦双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于第一阈值则修正估计第一参数组，校准后再次比较，反复迭代修正，直...

本发明提供一种双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于对应阈值则修正估计第一参数组，反复迭代修正，直至小于对应阈值；5)...

本发明提供一种双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于对应阈值则修正估计第一参数组，反复迭代修正，直至小于对应阈值；5)...

本发明提供一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法，基于MEMS的多固定相微型填充柱结构包括：衬底，衬底的表面形成有沿衬底的表面延伸的微沟道，微沟道的一端为入口端，另一端为出口端；微阻挡柱组件，位于微沟道内，且临近微沟道的出...

本发明提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶氢气传感器，包括有金属氧化物敏感材料，所述金属氧化物敏感材料的表面负载有Pd‑Ag合金纳米晶颗粒。本发明进一步提供一种基于Pd‑Ag合金纳米晶的氢气传感器的制备方法及其应用。本发明提供的一种基于Pd...