一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法技术

本发明专利技术涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法
本专利技术涉及材料制备
，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法。
技术介绍
钽酸锂(LiTaO3)具有非常优异的压电、热释电性质，被广泛的用于射频前端滤波器、热释电探测器的制造。钽酸锂属于三方晶系，3m点群，R3c空间群，由于晶格结构的各向异性，所以在应用上也体现出随切型不同，具有不同的应用领域，比如在射频前端器件领域，主要有38度Y-X、42度Y-X、50度Y-X等切型的钽酸锂单晶晶片，热释电领域则主要是Z切的钽酸锂。随着第五代移动通信和物联网的普及，射频前端滤波器正朝着更高的工作频率，更大的带宽，更加小的体积发展。这拓展了移动通讯的频谱分布，也对更高性能的滤波器提出非常明确的需求。将钽酸锂和硅基衬底集成制备硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底(POI)将为高Q值(质量因数)，低TCF(频率温度系数)的SAW(声表面波)滤波器的制造提供新的材料平台；此外，基于特殊基底的钽酸锂单晶薄膜也有望实现激发和利用具有更高声速的表面声波模式，这对于提高滤波器的工作频率，满足5G对频谱的扩展需求具有重要意义。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，其特征在于，包括：/n获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层(201)和压电单晶薄膜层(202)；/n对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层(202)表面形成有腐蚀层(203)；/n对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，其特征在于，包括：
获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层(201)和压电单晶薄膜层(202)；
对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层(202)表面形成有腐蚀层(203)；
对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。


2.根据权利要求1所述的表面优化方法，其特征在于，所述压电单晶薄膜层(202)为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜。


3.根据权利要求2所述的表面优化方法，其特征在于，所述支撑层(201)为硅衬底、氧化硅衬底、碳化硅衬底中的任意一种。


4.根据权利要求3所述的表面优化方法，其特征在于，所述钽酸锂压电单晶薄膜层(202)的切型为30-50度Y-X切。


5.根据权利要求1或4所述的表面优化方法，其特征在于，所述压电单晶薄膜层(202)的厚度为400nm-1000nm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，鄢有泉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31