本发明涉及一种抗辐射的SOI材料的制备方法，包括：采用局域性离子注入的方式制备抗辐射的SOI材料。本发明顶层硅离子注入损伤小，局域性离子注入，其它部分不被注入，顶层硅晶格结构完整，成为后续退火修复的籽晶区域，退火后顶层硅晶格质量完整，均...

本发明涉及一种SOI基p‑GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：栅介质生长；栅金属生长；刻蚀以制作栅电极；生长第一层钝化层；源漏区欧姆接触；离子注入；生长第二层钝化层；打开源漏窗口；第一深槽刻蚀，第二深槽刻蚀。该方法中p‑Ga...

本发明涉及一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：第一次钝化；源漏区欧姆接触；离子注入；刻蚀凹栅区域；生长栅介质层和栅金属；第二次钝化；打开源漏窗口；第一次深槽刻蚀；第二次深槽刻蚀。该方法制备的凹栅结构带来的工艺相对简...

本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二...

本申请涉及一种图像检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法通过获取鱼眼图像；根据训练后的对象确定模型中的特征提取模块对鱼眼图像进行特征提取，得到多个特征图像；特征提取模块包括至少一个可形变卷积层；多个特征图像的尺度互不相同；根据训练后...

本发明涉及集成光学技术领域，特别涉及一种偏振器件及其制备方法。包括：支撑层和模式筛选层，所述支撑层用于支撑所述所述模式筛选层；所述模式筛选层包括光吸收层和光隔离层，所述光吸收层设置在所述支撑层上，所述光隔离层设置在所述光吸收层上；所述光...

本发明涉及微纳电子技术领域，本发明公开了一种相变材料结构，其包括第一材料层和第二材料层，该第一材料层设于该第二材料层上；该第一材料层的材料为包括钛(Ti)和碲(Te)两种化学元素的化合物，该该第一材料层的材料的化学通式为碲化钛(Ti

本发明涉及半导体器件领域，本发明公开了一种石墨烯‑相变材料结构，其包括相变材料层和石墨烯层，该石墨烯层设于该相变材料层的顶部或者底部。本发明提供的相变材料结构具有不易扩散和热稳定性好的特点。

本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As

本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进...

本发明涉及一种磁性存储器件及其制作方法、存储器和神经网络系统，该磁性存储器件包括自由层；自由层包括至少两个磁矩方向可变的铁磁层和至少一个退耦合层，至少一个退耦合层中的每个退耦合层设于至少两个铁磁层中的两个铁磁层之间，两个铁磁层之间的退耦...

本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其写入和读取方法，该结构包括：约瑟夫森结存储环路，具有一个第一约瑟夫森结；发热电阻，设置于约瑟夫森结存储环路中的第一约瑟夫森结附近，用于控制约瑟夫森结的温度。通过在第一约瑟夫森结附近设置发热电阻，...

本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法和应用方法，涉及半导体器件技术领域。本发明通过石墨烯导电沟道层的n型掺杂和p型掺杂，可以有效打开石墨烯的带隙，使得石墨烯具有半导体的性质，从而可以形成场效应晶体管，工艺流程简单，相对于现有技...

本发明提供了一种PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路。其中，本发明提供的PMOS触发的SCR器件，包括埋氧化层，还包括依次设于埋氧化层表面的第一P+注入区、N阱区、P+注入触发区、P阱区和第一N+注入区，第...

本发明涉及一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件，包括N阱和P阱，所述N阱和所述P阱相邻设置；通过所述第二P+注入区和所述第二N+注入区构成T1端口，以及所述第一P+注入区和所述第一N+注入区构成T2端口，所述第二P+注入区、所述N...

本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第...

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种柔性电子器件及其制备方法，包括：柔性基底和电子器件，所述电子器件包括衬底层和延伸层，所述延伸层设置在所述衬底层上；所述柔性基底设置在所述延伸层远离所述衬底层的表面上。在电子器件正面形成柔性基底，可避...

本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用...

本发明涉及医疗器械的技术领域，特别涉及一种数据采集方法、装置、终端及存储介质。所述数据采集方法应用于舌像采集装置，其中，所述舌像采集装置包括：暗箱，所述暗箱上设有第一连接结构和第二连接结构，所述第一成像装置与所述第一连接结构连接，所述第...

本发明涉及信息存储领域，具体是一种基于生物蛋白的信息存储方法，所述方法包括：S1.制备掺杂或未掺杂功能基团的生物蛋白膜；S2.对待存储信息进行编码；S3.将编码后的信息以及功能基团中的信息存储于所述生物蛋白膜中；本发明能够存储生物信息，...