本发明涉及一种硅铝酸盐基复相发光材料，其化学通式为Zn

本申请实施例提供了一种新型静态存储单元，该新型静态存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的新型静态存储单元。相较于原有的存储...

本申请公开了一种基于双目显微视觉的测量方法、装置、系统及介质，该方法包括获取双目显微视觉系统中经相机标定后的左右相机对应的初始左右图像；基于对极几何约束关系，进行图像校正得到左右图像；对左右图像进行下采样，对所得的左采样图像集中最小分辨...

本申请实施例所公开的一种对象识别模型的确定方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定装置获取第一图片集合和第二图片集合，基于对象识别模型集合中的每个对象识别模型，确定第一图片集合中待识别对象集合的第二类别信息集合和第二位置数据集...

本发明涉及一种药物浓度筛选多细胞共培养的培养孔板及其使用方法，芯板的正面设有上层细胞培养区、背面设有下层细胞培养区和浓度梯度发生区，上层细胞培养区内设有上层细胞培养孔，下层细胞培养区内设有下层细胞培养孔，上、下层细胞培养孔之间位置相对应...

本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化...

本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为Ga

本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时...

本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁...

本申请提供一种荧光星型聚合物及其制备方法和应用，该聚合物的重复单元的结构式为式I或式II；所述式I的结构式如下所示：

本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所...

本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl

本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆<0001>面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介...

本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆<0001>面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；...

本申请实施例提供了一种存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法，其中，该存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的存储单...

本申请提供一种横式微型红外气体传感器，包括：微型光学气室、红外光源、红外探测器、电源芯片和ASIC芯片和第一电路板；微型光学气室的光路为横式折叠反射结构，光路与第一电路板平行设置；微型光学气室包括光输入端和光输出端；红外光源与光输入端连...

本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法，该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器，包括：绝缘层；敏感材料层；敏感材料层设于绝缘层的上表面；源极和漏极；源极和漏极采用叉指电极制备形成；叉指电极设于敏感材料层的上表面...

本发明提供一种基于窄带物联网的安全混合加密方法，包括：对各个终端与服务器进行轻量级身份认证，轻量级身份认证通过使用单向非对称加密，来实现终端的身份认证以及初始密钥和初始IV向量的传输；在终端的身份认证成功后，采用动态的对称加解密算法在终...

本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过...

本发明提供一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法，包括以下步骤：S1，提供具有注入面的氮化镓单晶晶片；S2，从注入面向氮化镓单晶晶片进行氢离子注入，使得注入离子到达预设深度并形成注入缺陷层，上方形成氮化镓单晶薄膜...