本发明提供一种基于传感数据信息指纹的风险事件识别方法，其用于采用多维传感器组进行风险事件识别，包括：生成多维传感器组的数据流的信息指纹作为待识别事件信息，并根据目标识别事件信息生成识别信息指纹；将待识别事件信息与识别信息指纹比对，以进行...

本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表...

本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，...

本发明提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法，制备方法包括制备非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；制备透明导电氧化物薄膜以覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中...

本发明提供一种多通道环栅晶体管，包括：半导体衬底；绝缘层，其具有未贯穿所述绝缘层的凹槽；半导体纳米线结构，悬空并横跨于凹槽上，包括位于凹槽两侧的半导体凸台以及连接于凸台上的多根半导体纳米线；栅介质层及栅电极层，包围于半导体纳米线；源区及...

本发明提供一种环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层显露源区及漏区的制...

本发明提供一种图形化结构的SOI衬底及其制备方法，包括：在第二半导体衬底上形成周期结构并进行离子注入形成剥离界面；在第一半导体衬底上的绝缘层中形成凹槽，凹槽未贯穿绝缘层；键合周期结构及绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使周...

本发明提供一种基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强...

本发明提供一种图形化结构的SOI衬底的制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使第二半导体...

本发明提供一种环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层，于栅介质层表面形...

本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，其显露源区及...

本发明提供一种三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底上形成周期结构并进行离子注入形成剥离界面；在第一半导体衬底上的绝缘层中形成凹槽，凹槽未贯穿绝缘层；键合周期结构及绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并...

本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质...

本发明提供一种图形化结构的SOI衬底的制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使第二半导体...

本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电...

本申请涉及一种基于超导纳米线的单光子偏振探测器件及其实现装置，包括：衬底；像元层，像元层置于衬底上；其中，像元层包括一个或多个超像元单元；每个超像元单元包括至少四个像元单元，像元单元由一条蜿蜒曲折的超导纳米线构成；且每个像元单元的超导纳...

本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现...

本发明提供了一种用于电流舵DAC的功耗降低电路，包括比较—控制电路，比较—控制电路设置为：在每个采样周期对当前采样周期的输入信号进行采样，并至少以当前采样周期的输入信号与前一采样周期的输入信号相同为判断条件，在符合至少一个判断条件时，控...

本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑...

本发明提供一种磁场传感器结构及制备方法，磁场传感器结构包括：衬底结构；至少一个驱动电极组件，包括若干个间隔排布的第一梳齿单元，悬空设置于衬底结构上；谐振结构组件，包括谐振结构部及至少一个梳齿部，均悬空设置于衬底结构上，梳齿部包括若干个间...