本实用新型提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，包括：衬底，且所述衬底中形成有凹槽结构；若干个微柱结构，形成于所述衬底上并位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二...

本发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为Ge

本发明涉及微纳电子技术领域，本发明公开了一种相变材料，其包括M和碲(Te)两种化学元素，该相变材料的化学通式为M

本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量...

本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体...

本发明提供一种磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层，形成于第一金属连接层上；固定磁层，形成于第一金属过渡层上；隧穿层，形成于固定磁层；自由磁层，形成于...

本发明提供一种基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层；固定磁层；隧穿层；自由磁层，所述自由磁层为二维铁磁材料层；第二金属过渡层；第二金...

本发明提供一种基于柔性衬底的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一柔性CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、第二金属过渡层以及第二金属连接层。本发明采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺...

本发明提供一种基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法，包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层，所述固定磁层为二维磁性材料层、隧穿层，所述隧穿层为二维绝缘材料层，所述隧穿层包含二维绝缘材料层的层数为1...

本发明提供一种基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，所述第一金属连接层形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、隧穿隔离底层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、隧穿隔离顶层、第二金属过渡层以及第二金属连接层...

本发明提供一种三维MRAM存储结构及其制作方法，结构包括：第一存储层，包括CMOS电路基底、磁性隧穿结器件、源线金属层、字线金属层以及位线金属层；第一连接电路层，用以提供存储层的读写信号，并提供相邻两存储层之间的信号连接通路；若干个第二...

本发明提供一种基于二维CMOS的三维MRAM存储结构及其制作方法，结构包括：第一存储层，包括CMOS电路基底、磁性隧穿结器件、源线金属层、字线金属层以及位线金属层；第一连接电路层，用以提供存储层的读写信号，并提供相邻两存储层之间的信号连...

本发明提供一种基于二维器件的三维MRAM存储结构及其制作方法，结构包括：第一存储层，包括CMOS电路基底、磁性隧穿结器件、源线金属层、字线金属层以及位线金属层；第一连接电路层，用以提供存储层的读写信号，并提供相邻两存储层之间的信号连接通...

本发明公开了一种基于卷积神经网络的人脸检测方法、装置及设备，包括：响应于来自人脸检测系统的指令，对输入图像进行预处理获得待检测图像；基于卷积神经网络构建人脸检测的网络模型；对所述网络模型进行模型预训练，得到预训练后的网络模型；对所述预训...

本发明涉及一种石墨烯基表面增强拉曼散射衬底的制备方法，其包括步骤：以边缘氧化的石墨烯片层为原料制备石墨烯和银纳米颗粒的复合膜层，石墨烯片层的边缘区域修饰有含氧官能团，银纳米颗粒通过与含氧官能团的络合作用富集在石墨烯片层的边缘区域；对石墨...

本发明公开了一种基于到达时差和到达频差的定位方法、装置及设备，所述方法包括：建立基于到达时差和到达频差的定位模型；获得到达时差测量噪声向量、到达频差测量噪声向量以及测量节点位置噪声向量；列出概率密度函数对应的极大似然估计表达式；根据所述...

本发明提供了一种正确传达人脸视线方向的影像显示系统，其用于显示人脸的投影图像，包括一中空的椭球屏幕、设于该椭球屏幕的底部且投影方向为竖直向上的投影仪和设于该椭球屏幕的顶部的凸面镜，投影仪设置为发射人脸的投影图像，凸面镜设置为将人脸的投影...

本发明涉及一种基于深度学习的野外车辆识别方法，包括：步骤S1，通过传感器采集目标车辆产生的原始声音信号和震动信号；步骤S2，分别对采集到的原始声音信号和震动信号进行特征提取，分别得到声音信号以及震动信号的频谱图；步骤S3，将所述声音信号...

本实用新型提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式...

本发明提供一种硅基InGaAs激光器衬底的制备方法，包括：S1：在供体衬底上赝晶生长In