本申请涉及一种硅基激光器及其制备、解理方法，该解理方法通过获取硅衬底；将硅衬底的顶面沿第一方向刻蚀出多个第一脊条，得到刻蚀后的硅衬底；在硅衬底上形成Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层；在Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层外延生长形成激光器层；将激光器层的顶面沿第二方向刻蚀出多...

本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器...

本发明涉及一种车辆声音信号特征提取方法，包括：对车辆声音信号进行预处理，同时提取基频；作快速傅里叶变换，计算出信号能量谱；将声音信号基频与梅尔三角滤波器组的中心频率进行组合，得到基频自适应三角滤波器组；将信号能量谱通过基频自适应三角滤波...

本发明提供了一种柔性手机摄像头光学镜片，包括柔性衬底、设于其表面上的微纳结构超表面和设于其后端的偏振片，微纳结构超表面为微纳结构单元的周期性阵列，不同微纳结构单元具有相同的尺寸和不同的指向角度，指向角度根据所需的电磁波通过各微纳结构单元...

本发明提供一种柔性遥感卫星光学镜片，包括柔性衬底和设于柔性衬底的至少一个表面上的微纳结构超表面，所述微纳结构超表面为微纳结构单元的周期性阵列，不同的微纳结构单元具有相同的高度、相同的指向角度和不同的横截面尺寸，各微纳结构单元的横截面尺寸...

本实用新型提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，...

本申请提供一种臭氧产生提纯系统，包括：供氧装置、臭氧发生装置、臭氧分离装置、控制装置和气路管道；供氧装置能够提供氧气；臭氧发生装置能够将氧气电解为包含氧气和臭氧的混合气体；臭氧分离装置能够将混合气体中的臭氧分离，臭氧分离装置内设有臭氧吸...

本申请公开了一种基于多天线发射模块的编码方法、装置、终端及存储介质，所述方法包括：对串行数据序列进行串并转换，得到多组并行数据序列；利用傅里叶变换单元组内的多个傅里叶变换单元对多组并行数据序列进行傅里叶变换，得到多组频域数据序列；基于多...

本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形...

本发明涉及，本发明公开了提供一衬底，在该衬底上形成Ta‑Sb‑Te材料薄膜层，得到Ta‑Sb‑Te材料片；在该Ta‑Sb‑Te材料片的该Ta‑Sb‑Te材料薄膜层上形成阻挡层；图形化该阻挡层，得到刻蚀准备片；将该刻蚀准备片放入存在CF4...

本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为Sc

本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森...

本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，通过获取SOI衬底；在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第...

本发明公开了一种基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，涉及光电探测器技术领域。本发明的基于全介质超透镜的高速高效光电探测器，包括探测器和形成于所述探测器的上方的超表面透镜；所述探测器包括自下而上依次设置的p型层、本征层和n型层；所述超表...

本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al

本申请提供一种半导体纳米线及场效应晶体管的制备方法，该半导体纳米线的制备方法包括以下步骤：获取硅衬底；在硅衬底上制备Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体薄膜；采用电子束光刻技术或纳米压印技术中的任意一种结合湿法刻蚀技术、电感耦合等离子体刻蚀技术或反应离...

本申请涉及阈值电压的调节方法、装置、CMOS器件、电子设备及存储介质，该方法通过在CMOS器件的阱区设置接触区；接触区用于和外部电源相连；若CMOS器件的当前工作温度处于预设温度范围内，对接触区施加偏压。如此，可以降低保证CMOS器件的...

本发明提供一种氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法，通过键合和减薄，将非故意掺杂的氧化镓层转移到高掺杂、高导热的异质衬底上，通过对氧化镓层的表面处理及离子注入，可获得重掺氧化镓层，制备包括依次叠置异质衬底、氧化镓层及重掺氧...

本发明公开了一种精确定位鳍式场效应晶体管的原子探针针尖样品制备方法，本发明通过对小尺寸鳍式场效应晶体管进行预处理，根据预处理后两个相邻切割面的表面电路布局图得到的第一沉积保护层和两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对其位...

本发明涉及材料样品制备技术领域，特别涉及一种聚焦离子束切割制样方法。该方法包括：在经过预处理的样品薄片的表面沉积保护层，得到第一试样；确定所述第一试样的切割中心的位置；其中，所述切割中心为目标结构的定位中心；对所述第一试样进行切割。本申...