一种电子器件表面处理方法技术

本发明专利技术涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。

A surface treatment method for electronic devices

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件表面处理方法
本专利技术涉及材料样品制备
，特别涉及一种电子器件表面处理方法。
技术介绍
随着集成电路尖端技术的不断发展，主流晶体管鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)的工艺和材料结构都变得越来越复杂。如何制造性能更好更稳定的FinFET器件，这要求更精准的选择刻蚀工艺和更严格的金属纯度控制过程，实现复杂的功函数金属薄膜工艺。因此，对于小尺寸FinFET器件的研究，需要高精度的表征技术对其进行三维的结构-成分分析、微量掺杂元素在特征结构中的分布分析、多层金属表面及界面分析、以及工艺过程中引起的材料结构缺陷分析等。三维原子探针技术(AtomProbeTechnique，APT)被认为是FinFET器件研究和分析的最有力手段。三维原子探针技术主要原理是将所分析的器件结构制备成针尖形状样品，使得在电场蒸发条件下，从针尖顶端进行材料结构的逐层剥离，再通过所激发原子信息重构出器件结构，最终实现原子级分辨率的结构-成分分析。因此，三维原子探针技术表征分析的首要因素是制备合适的针尖样品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件表面处理方法，其特征在于，所述电子器件包括衬底层(10)和设在所述衬底层(10)上的器件结构层(20)，所述器件结构层(20)内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层(23)；/n所述处理方法包括：/n对所述器件结构层(20)减薄，使所述金属材料层(23)裸露在所述器件结构层(20)表面，得到第一处理产物；/n对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子器件表面处理方法，其特征在于，所述电子器件包括衬底层(10)和设在所述衬底层(10)上的器件结构层(20)，所述器件结构层(20)内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层(23)；
所述处理方法包括：
对所述器件结构层(20)减薄，使所述金属材料层(23)裸露在所述器件结构层(20)表面，得到第一处理产物；
对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。


2.根据权利要求1所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述金属材料层(23)为钨金属材料层(23)。


3.根据权利要求2所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，对所述第一处理产物刻蚀采用的刻蚀方法为化学刻蚀法。


4.根据权利要求3所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
将刻蚀溶液加热至预设温度；
将所述第一处理产物放入所述刻蚀溶液中；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亚敏，董业民，陈晓杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31