一种自对准分离栅闪存的形成方法，包括：在衬底表面依次形成热氧化层、浮栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出热氧化层的开口；在硬掩膜层表面和开口内形成ONO层；在所述ONO层表面形成复合层；采用刻蚀工艺对复合层和ONO层进行刻蚀，直至暴露...