一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用技术

本发明专利技术涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明专利技术还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明专利技术又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明专利技术的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。

A preparation method of heavily doped silicon-based films and the resulting films and their applications

【技术实现步骤摘要】
一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用
本专利技术涉及太阳电池及其制造领域，更具体地涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用。
技术介绍
能源是一个国家赖以生存和发展的动力。在化石能源日益枯竭和环境问题凸显的时代，新型可替代能源的研究将为国民经济持续发展提供有力的保障。太阳能可以稳定而持续的输出，在清洁能源中更具竞争力。目前，各种构型的晶体硅(c-Si)组件占据市场份额的90％以上，从发电量和节约成本两方面考虑，高效组件在光伏系统安装中占有绝对优势。获得高效率晶体硅太阳电池是获得高效组件的基础，高效硅异质结太阳电池的研究可以获得更高效率的组件。提高掺杂型非晶硅钝化层的导电性有益于提高硅异质结太阳电池的光电性能。然而，现有化学沉积技术在线沉积的多数掺杂型薄膜的掺杂效率不高，尤其是p型硅基薄膜，硼的融入可能导致薄膜结构劣化且薄膜内的氢含量减少而起不到钝化晶体硅表面的作用。
技术实现思路
为了解决现有技术中的硅基薄膜的掺杂效率不高的问题，本专利技术提供一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，其特征在于，该制备方法还包括通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。/n

【技术特征摘要】
1.一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，其特征在于，该制备方法还包括通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法在后处理轻掺杂型硅基薄膜之前还包括冷却轻掺杂型硅基薄膜，然后再进行后处理轻掺杂型硅基薄膜。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，生长、冷却和后处理轻掺杂型硅基薄膜的步骤依次重复若干次。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，掺杂气体包括氢元素，重掺杂型硅基薄膜的氢含量大于轻掺杂型硅基薄膜的氢含量。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽平，李振飞，刘正新，孟凡英，石建华，韩安军，杜俊霖，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31