【技术实现步骤摘要】
利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法
本专利技术涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法和应用，特别是涉及一种优化钙钛矿多晶薄膜的制备方法和应用，应用于半导体探测器的制造工艺
技术介绍
半导体探测器凭借其迁移率高、稳定性高、分辨率好和灵敏度高等优点，在医疗、安防、高能粒子探测等军用或民用领域有着非常重要的作用。近年来，卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电性能引起了科研界的热切关注，这种材料具有可调节的带隙、载流子迁移率高、载流子寿命长以及缺陷容忍性高等优良特性，使钙钛矿半导体探测器成为一种高质量、低成本、易制备的新型半导体探测器。目前常用的钙钛矿材料主要为有机-无机杂化卤素钙钛矿(例如，CH3NH3PbX3),其光电性能优异，但是水氧稳定性和热稳定性很差，且合成难度较高，制备环境复杂，不利于大面积制备半导体探测器，限制了其在光电领域的实际应用。因此，很有必要寻找组成和结构稳定的、且性能一样高效的光电材料。由于全无机卤化铅钙钛矿CsPbX3(X＝I，Br，Cl)具有合适的带隙，足以媲美有机无机杂化钙钛矿的高量子效率、高灵敏...
【技术保护点】
1.一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，其特征在于，通过在CsPbBr
【技术特征摘要】
1.一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，其特征在于，通过在CsPbBr3前驱体溶液中添加有机高分子材料，再利用喷雾法制备多晶无机钙钛矿CsPbBr3材料，通过调控有机高分子材料添加量和多晶无机钙钛矿CsPbBr3材料的厚度，来调控钙钛矿材料薄膜的粗糙度，从而调控钙钛矿探测器暗电流密度。
2.根据权利要求1所述利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，其特征在于：添加的所述有机高分子材料采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚酰亚胺(PI)、聚丙烯腈(PAN)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、三乙醇胺(TEA)中的任意一种或者任意几种的混合物。
3.根据权利要求1所述利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.衬底预处理：
将ITO衬底分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗至少15分钟，使用氮气吹干清洗洁净的ITO衬底，并将ITO衬底置于紫外臭氧机中处理15-30分钟，得到洁净干燥的ITO衬底；
b.CsPbBr3前驱体溶液的制备：
按照CsPbBr3的元素化学计量比，将PbBr2和CsBr作为溶质，分别溶解在两个烧瓶内的DMSO溶剂中，得到两种溶液，然后将两种溶液分别置于磁力搅拌器上搅拌直至完全溶解，再将完全溶解的两种溶液进行混合，继续搅拌至少1h，再使用0.22μm的滤嘴过滤溶液，然后在过滤后的澄清透明溶液中加入与DMSO等量的DMF，并加入溶解在氯苯溶剂中的PMMA溶液，混匀，得到CsPbBr3前驱体溶液，备用；
c.多晶CsPbBr3薄膜的制备：
将在所述步骤a中进行预处理完毕的ITO衬底置于加热台上，将喷涂机的喷枪位置调节至合适，设置所需气压后，通过喷头开始向ITO衬底表面喷涂在所述步骤b中制备的CsPbBr3前驱体溶液，在连续喷雾至少1h后，将得到的CsPbBr3液膜进行退火处理；然后重复喷涂和退火处理步骤至少1次，从而得厚度在10～200μm的多晶CsPbBr3薄膜；
d.多晶CsPbBr3光电探测器的制备：
在所述步骤b中制备的多晶CsPbBr3薄膜上设置电极掩膜版，以不高于1nm/min速度蒸镀金电极，从而获得厚度为40-60nm的图案化...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐闰，张笑铮，孟华，欧正海，戚焕震，徐珊瑚，易永胜，徐飞，黄健，王林军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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