钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，本发明专利技术公开了一种钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl

【技术实现步骤摘要】
钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法
本专利技术涉及微电子
，特别涉及钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法。
技术介绍
一般，相变存储器(PhaseChangeMemory，PCM)的工作原理是以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态与非晶态之间相互转化实现信息的写入和擦除，信息的读出靠测量电阻的变化实现。PCM凭借非易失性、高速、高密度、可三维集成和可实现多值存储等优点成为了人们关注的焦点。随着工艺节点的推进和器件密度的增加，PCM器件结构由平板型转变为具有更低功耗的限制型结构，器件尺寸的不断缩小以及器件结构深宽比的不断加大使得相变材料的填充面临巨大的困难，而现有技术中常使用物理气相沉积(PhysicalVapourDeposition，PVD)制备PCM器件，物理气相沉积(PhysicalVapourDeposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源—固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基底(1)；/n在所述基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，所述钽(Ta)前驱体包括TaCl

【技术特征摘要】
1.一种钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底(1)；
在所述基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，所述钽(Ta)前驱体包括TaCl5；
在所述Ta基底上沉积锑(Te)前驱体，得到Te基底，所述锑(Te)前驱体包括Te(C4H9)2；
在所述Te基底上沉积碲(Sb)前驱体，得到所述钽-锑-碲相变材料，所述碲(Sb)前驱体包括Sb[(CH3)2N]3；
所述沉积的方法为原子层沉积(ALD)。


2.根据权利要求1所述的钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，
所述沉积钽(Ta)前驱体或者锑(Te)前驱体或者碲(Sb)前驱体，包括：
引入钽(Ta)前驱体或者锑(Te)前驱体或者碲(Sb)前驱体中任一种前驱体之后，清洗未被吸收的所述前驱体；
引入氢气等离子；
清洗反应副产物。


3.根据权利要求2所述的钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，
所述氢气的通入速率为0.01～1000立方厘米/分钟。


4.根据权利要求1所述的钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，所述在所述Te基底上沉积(Sb)前驱体，包括：
在所述Te基底上沉积碲(Sb)前驱体，得到Sb基底；
在所述Sb基底上沉积所述锑(Te)前驱体，得到所述钽-锑-碲相变材料。


5.根据权利要求1所述的钽-锑-碲相变材料的沉积方法，其特征在于，
所述在所述Sb基底上沉积所述钽(Ta)前驱体后，还包括：
通过依次重复所述沉积钽(Ta)前驱体、所述沉积锑(Te)前驱体和所述沉积碲(Sb)前驱体步骤中的两种或者三种的次数控制所述钽-锑-碲相变材料(5)的组分。

【专利技术属性】
技术研发人员：宋三年，李林，薛媛，宋志棠，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31