一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备技术

本发明专利技术涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备
本专利技术涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备。
技术介绍
磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)是一种非易失性的磁性随机存储器。由于其拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读写速度和动态随机存储器(DRAM)的高集成度，以及良好的数据保持性，这一系列优点使MRAM有着广阔的应用领域，例如消费电子、人工智能、工业自动化和航空航天。MRAM的基本存储单元为磁隧道结(MagneticTunnelJunction，MTJ)，其基本结构由固定层、势垒层和自由层组成。固定层通常采用合成反铁磁结构，由于被隔层隔开的相邻铁磁层之间强烈的反铁磁耦合作用，固定层的磁化方向保持在某一方向上很难被改变。势垒层是厚度小于2nm的非磁性绝缘材料。自由层是存储信息的磁性薄膜，它的磁化有两个稳定的取向，分别与固定层平行或反平行，这将使磁隧道结处于低阻态或高阻态，该现象被称为隧穿磁阻效应。两个阻态可分别代表二进制数据“0”和“1”，是MRAM存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性存储单元的加工方法，其特征在于，包括：/n在基底上依次淀积固定层(10)、势垒层(20)和自由层(30)得到基础磁性存储单元；/n对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；/n其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁性存储单元的加工方法，其特征在于，包括：
在基底上依次淀积固定层(10)、势垒层(20)和自由层(30)得到基础磁性存储单元；
对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；
其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。


2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理包括，刻蚀所述自由层(30)、势垒层(20)和固定层(10)，在所述自由层(30)、势垒层(20)和固定层(10)上形成缺陷；和/或；
刻蚀所述自由层(30)，在所述自由层(30)上形成缺陷。


3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于：所述缺陷包括至少一个凹陷和/或至少一个凸起。


4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于：所述凹陷或凸起的形状为圆弧形或异形。

【专利技术属性】
技术研发人员：吕飞，叶力，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31