本发明公开了一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合...

本发明涉及一种基于事件驱动型无线传感器网络拓扑管理方法，包括以下步骤：当节点感知到事件发生时从休眠状态进入预激活状态，并根据邻居节点位置和感测范围进行第一级冗余判定，被判定为冗余的节点回归休眠状态，其余节点竞选簇头，完成成簇操作；所述簇...

本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定，其键合温度高于后续退火剥离温度，将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理，一段时间后实现压电薄膜的剥离与转移，然后对...

本发明公开了一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，属于半导体制造技术领域。本发明的提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，根据支撑衬底上的单晶压电薄膜的厚度分布进行极化处理，在第一厚度区形成第一极化面，在厚度比该第一厚度区薄的第二厚度区形成第...

本发明公开了一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明的多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜，从下至上依次包括硅衬底、绝缘层、顶层硅层、顶层二氧化硅层和压电单晶薄膜，多层膜结构衬底由绝缘体上硅衬底进行热氧化...

本发明公开了一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法，包括设于绝缘体衬底上的铌酸锂薄膜、单晶硅层和电极，所述绝缘体衬底包括支撑衬底层和光绝缘层，所述支撑衬底层设于所述光绝缘层的一侧，所述铌酸锂薄膜设于所述光绝缘层的另一侧，所述铌...

本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，...

本发明公开了一种异质半导体薄膜的制备方法，包括：获取具有第一抛光面的半导体单晶晶片；获取具有第二抛光面的异质衬底；在半导体单晶晶片的第一抛光面上沉积一层缓冲层后构成第一复合结构；向半导体单晶晶片注入阻挡层离子后形成阻挡层；退火处理；沿半...

本发明涉及一种多通道数据读出电路，包括N个通道组，所述通道组内设置有M条积分通道，所述M条积分通道采用流水线方式进行工作，所述N个通道组采用并行方式进行工作；每条积分通道包括积分器单元，所述积分器单元的输出端与模数转换电路单元的输入端相...

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：对压电单晶衬底的正面进行离子注入形成注入损伤层，在压电单晶衬底的正面进行金属沉积，并图案化；在衬底晶圆的正面进行刻蚀，...

本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列...

本发明涉及一种Ceph的写性能优化和双控节点组合方法，包括以下步骤：将Ceph强副本一致性写入策略改为Primary在本地写入日志盘完成后，就向客户端返回写完成；集群中的节点使用双控制器双存储阵列，即让节点中的双控分别控制着各自的存储阵...

本发明涉及一种动态局部路径规划方法，包括以下步骤：获取运动体的起始位姿和终止位姿，并实时更新代价地图，判断规划路径为几阶路线，并通过数学表达式表示所述规划路径；离散化所述数学表达式表示的规划路径得到离散的路径点，将离散的路径点转化为栅格...

本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种降低薄膜剥离热应力的异质结构薄膜的制备方法，具体地，首先提供异质结构薄膜衬底，该异质结构薄膜衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上依次沉积第一铟层和第一金层，形成第一待键合衬底；...

本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度...

本申请实施例所公开的一种异质衬底薄膜的制备方法，包括获取第一衬底和第二衬底，对第一衬底进行第一离子注入，在第一预设深度处形成第一损伤层，将第一衬底和第二衬底键合，基于第一预设温度对键合后的结构进行退火处理，沿第一损伤层对第一衬底进行剥离...

本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在同一压电衬底的不同区域内注入种类、剂量和能量均不同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质...

本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行...

本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法。该方法的具体步骤如下：提供异质衬底和支撑衬底；通过低热导率介质对该异质衬底和该支撑衬底进行键合，形成介质层键合衬底；将该介质层键合衬底置于退火炉中进行退火，该异...

本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的...