一种铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。通过上述方法得到的铌酸锂自支撑薄膜与铌酸锂单晶晶片的质量一样，从而解决了现有技术中制备铌酸锂薄膜时由于离子束作用而造成的薄膜缺陷问题。

A lithium niobate self supporting film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法
本专利技术涉及半导体材料
，特别涉及一种铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法。
技术介绍
铌酸锂晶体是一种集压电、铁电、热释电、非线性、电光、光折变等性能于一体的多功能材料，具有良好的热稳定性和化学稳定性；由于铌酸锂晶体的大尺寸以及低制备成本，其已逐渐成为材料领域重要的功能新材料。目前，铌酸锂晶体已经在红外探测器、激光调制器、光通讯调制器、光学开关、光参量振荡器、集成光学元件、高频宽带滤波器、窄带滤波器、高频高温换能器、微声器件、激光倍频器、自倍频激光器、光折变器件(如高分辨的全息存储)、光波导基片和光隔离器等方面获得了广泛的实际应用，被公认为光电子时代光学硅的主要侯选替代材料之一。基于铌酸锂晶体准相位匹配技术的周期极化(PeriodieallyPoledLiNbO3，PPLN)，可以最大程度地利用其有效非线性系数，广泛应用于倍频、和频/差频、光参量振荡等光学过程，在激光显示和光通信领域具有广阔的应用前景，从而使其成为非常流行的非线性光学材料。但由于铌酸锂晶体的器件制备工艺成本高，刻蚀工艺困难，以及不能兼本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；/n获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；/n在所述介电层的表面刻蚀沟槽；/n将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；/n对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；/n对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；/n将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；
获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；
在所述介电层的表面刻蚀沟槽；
将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；
对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；
对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；
将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。


2.根据权利要求1所示的铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：
所述铌酸锂单晶晶片的厚度为200微米-500微米；
所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面的表面粗糙度小于1纳米；
所述铌酸锂单晶晶片的尺寸为2英寸到6英寸。


3.根据权利要求1所示的铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：
所述高阻衬底为硅片、碳化硅或氮化镓；
所述介电层为氧化钽层、二氧化钛层、钛酸钡层、二氧化锆层、二氧化铪层、氧化铝层或氧化硅层。


4.根据权利要求3所示的铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：
所述介电层的厚度为5纳米至500纳米；
所述介电层的表面粗糙度小于1纳米。


5.根据权利要求1所示的铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：
所述沟槽的数量为多个，且每...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，徐文慧，游天桂，沈正浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31