本发明涉及一种近常压电子产额模式X射线吸收谱装置，包括：单色器、光强监测机构、光电子能谱装置和近常压气室，所述近常压气室内设置有用于放置待测样品的固定支撑结构，所述固定支撑结构连接有接地的第一电流检测装置；控制分析模块分别与单色器、光强...

本发明提供一种非地面网络的定时提前调整方法，包括：终端和空间基站根据初始的辅助参数确定初始终端和空间基站定时提前量；终端根据当前的辅助参数调整得到当前上行传输时刻的终端定时提前量，按终端定时提前量对上行序列进行预补偿，并在当前上行传输时...

本发明涉及一种梯度单晶高镍正极材料及其制备方法，所述正极材料的化学式为LiNi

本发明涉及一种锂离子电池复合正极材料及其制备方法，所述复合电极材料包括基体材料、依次包覆与基体材料表面的第一包覆层和第二包覆层。本发明提供的锂离子电池复合正极材料及其制备方法，工艺简单，易于工业化生产，残碱低、循环和安全性能优异。

本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平...

本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法，包括：在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层；将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸...

本发明提供了一种场效应超导纳米桥结及其结构和制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成衬底介电层；在衬底介电层上形成图形化的超导薄膜层；在衬底介电层上未被超导薄膜层覆盖的区域以及超导薄膜层的侧壁形成由栅极介电层和导电薄...

本发明涉及一种存储器装置的偏置方法，其中存储器装置的选通器为二极管阵列，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，正常选通工作时，在选通二极管所在的位线BL

本发明涉及半导体领域和光电集成领域，具体是一种可调光栅耦合器，包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层；所述波导层的材料为电光材料，所述波导层的一端形成有耦合光栅；所述耦合光栅两侧均设置有多个电极，所述耦合光栅一侧的电极与另一侧的电...

本发明涉及一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体35‑90％；磨料颗粒0.01‑40％；氧化剂0.01‑30％。本发明通过选择合理的磨料颗粒和氧化剂并进行合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率亦获...

本发明涉及一种金属钴抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤10％；L‑天冬氨酸0.005‑10％；谷胱甘肽0.005‑10％。本发明通过调配氧化剂和络合剂的比例以及添加谷胱甘肽，得...

本实用新型提供了一种晶圆键合装置，包括：用于键合晶圆的键合腔；用于对键合后的所述晶圆进行逐级冷却的多个串联设置的温度缓冲腔；用于传送所述晶圆的多个晶圆传送模块，其设置于所述键合腔与所述温度缓冲腔之间以及多个串联设置的所述温度缓冲腔中相邻...

本发明涉及一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法，包括：首先在压电薄膜内注入He离子，在压电薄膜近表面形成缺陷层；然后利用Ar离子轰击晶圆表面，形成光滑表面；再利用Kr离子轰击晶圆表面，使得缺陷层转变为非晶层；最后利用酸性腐蚀液腐...

本发明涉及一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法，包括：采用离子溅射的方法进行薄膜减薄，离子减薄后采用化学机械抛光工艺降低薄膜粗糙度。本发明的方法成功改善了薄膜厚度均匀性，且没有在薄膜表面额外引入缺陷层，在提高晶圆内不同区域间的器件性能...

本发明涉及一种压电薄膜高温极化方法，包括：制备压电薄膜、热致相变材料与支撑衬底的复合结构；然后对复合结构进行高温退火，再以热致相变材料作为底电极，在压电薄膜上施加极化电场；最后对极化后的压电薄膜进行表面处理。本发明通过引入相变材料，一方...

本发明涉及一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：将n型掺杂硅衬底清洗；在所述n型掺杂硅衬底底侧进行掺杂，形成N

本发明涉及一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备方法，包括：将外延N型轻掺SiC层的SiC衬底清洗；在SiC衬底的外延层使用离子注入和退火的方式形成N+源区、P型沟道区和P+终端区；在外延层沉积高k栅介质层，然...

本发明涉及一种浮空的柔性器件及其制备方法，柔性器件结构包括：器件区、电极区、柔性导线、过渡区、粘合层、柔性基底。本发明提出浮空的器件区、蛇形柔性导线，实现了更大的延展性和可弯曲性。通过在柔性基底上方设置浮空的器件区域，降低了衬底形变对器...

本发明涉及一种柔性器件及其制备方法，包括电极区、粘合层、柔性基底、器件区、柔性导线，其中所述器件区上表面覆盖保护层。本发明实现了柔性器件的浮空，避免了衬底形变对器件的影响，提高器件的可靠性和稳定性，实现了更大的延展性和可弯曲性。

本发明提供一种基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构，该静电保护单元包括：晶闸管及NMOS管；晶闸管包括：形成于N阱中的寄生PNP管、形成于P阱中的寄生NPN管，N阱及P阱相邻，寄生NPN管的集电极/基极形成的反向PN结为低反向击穿电压的...