【技术实现步骤摘要】
一种二维材料层制备后转移方法
本专利技术属于二维材料转移领域，特别涉及一种二维材料层制备后的无损转移方法。
技术介绍
微电子材料对于人类社会发展意义重大。据不完全统计，全球大约有数十万亿美元级的产业价值由微电子行业带来。带来巨额经济利益的同时，人们还在追求更好的材料来发展微电子行业。进一步，二维材料由于特殊和新奇的性能进入人们的视野。近年来二维材料发展火热，但是其制备具有很大的困难，例如，随着器件尺寸缩小，对材料的质量，制作成本都有越来越搞到要求。传统的湿法转移的效果已不能让人满意，原材料的浪费十分突出。近年来，石墨烯、TMD等二维材料的火热推动了半导体物理、凝聚态物理、生物医学等的发展，其独特的电学、力学性质有利微电子器件性能改善。在大面积单层二维材料生产制备加工过程中，无论是生产过程中的污染还是转移过程中的浪费，都会对转移石墨烯、TMD等二维材料带来巨大的经济损失。目前主流的转移化学气相沉积法生长的二维材料，是采用光刻胶PMMA进行湿法转移。由于光刻胶PMMA具有柔韧性，抗腐蚀，能够很好的与二维材料粘附在...
【技术保护点】
1.一种二维材料层的转移方法，包括：/n(1)在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层，所述高分子涂层为PPA；/n(2)将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层，将二维材料层转移到基体上。/n
【技术特征摘要】
1.一种二维材料层的转移方法，包括：
(1)在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层，所述高分子涂层为PPA；
(2)将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层，将二维材料层转移到基体上。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中衬底包括锗衬底；二维材料层包括石墨烯；二维材料层的层数为1层。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中在衬底表面形成二维材料层的方法包括化学气相沉积。
4.根据权利要求3所述方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：张波，刘运启，薛忠营，郭旺，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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